GaAs 和 GaAlAs 量子阱：GaAs-GaAlAs 量子阱。 电子、重空穴和轻空穴能级与 Lz 轴相关。 它们具有特征函数。

简介：
GaAs-GaAlAs 量子阱在 I 型量子阱结构中，由于势垒材料较大带隙与阱材料较小带隙之间的能量差 ΔEg，从而对导带中的电子以及价带中的空穴施加了限制电位。 譬如说，在 GaAs-GaAlAs 量子阱系统中，获得的阱深度分别约为 ΔVe ≈ 2ΔEg/3 和 ΔVh ≈ ΔEg/3。 在这些半导体器件中，导带内的电子表现出类似于具有有效质量 m* 的特性，而该有效质量与自由电子质量 mo 存在差异，并且其数值在两种材料中也各不相同，例如，井中电子的有效质量 mw 与屏障中电子的有效质量 mb 呈现不同。 由于两种材料的电子有效质量存在差异，因此在界面处用于描述波函数导数的边界条件并非导数 dψ / dz 的连续性； 相反地，一种常见的做法是采用 (1/m*)(dψ / dz) 的连续性，其中 m* 对于井中和屏障中的材料是不同的。 该 m 文件（GaAs_GaAlAs_QW.m）展示了给定 GaAs-GaAlAs 量子阱的 Al 成分（x）和阱宽度 Lz（Å）下电子、重空穴和轻空穴的本征函数分布情况。