MOS管切换过程中的米勒效应

简介：
本文探讨了MOS管在开关过程中出现的米勒效应现象，分析其产生的原因及其对电路性能的影响，并提出相应的抑制措施。 MOSFET的栅极驱动过程可以简单理解为对MOSFET输入电容（主要是栅源极电容Cgs）进行充放电的过程；当Cgs电压达到阈值后，MOSFET会进入开通状态。一旦MOSFET导通，Vds开始下降而Id上升，此时器件处于饱和区。然而，在米勒效应的影响下，Vgs在一段时间内不会继续升高，尽管Id已经稳定下来但Vds仍在持续降低；直到米勒电容充满电后，Vgs再次升至驱动电压值，MOSFET进入电阻区，并最终使Vds降至最低点完成开通过程。 由于米勒效应导致的Cgd（栅漏极间电容）阻止了Vgs上升，从而延缓了Vds下降的过程。这会延长损耗时间，因为当Vgs升高时导通电阻减小而使得Vds更快地下降。