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微电子封装技术涉及对集成电路进行保护和连接的工艺。

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简介:
《微电子封装技术》对晶体管和集成电路(IC)发展历程中出现的各类微电子封装技术进行了较为全面、系统且深入的阐述。本书重点探讨了当前应用最为广泛的先进IC封装技术,包括QFP、BGA、CSP、FCB、MCM以及3D封装技术,并对微电子封装技术的未来发展方向进行了展望。本书共包含八章内容,涵盖了绪论、芯片互连技术、插装元器件的封装技术、表面安装元器件的封装技术、BGA和CSP的封装技术、多芯片组件(MCM)、微电子封装的基板材料、介质材料、金属材料及基板制作技术,以及对未来封装技术的展望。此外,书后还提供了微电子封装技术所涉及的关键缩略语的中英文对照表,旨在方便读者查阅。凭借其广泛的知识面和较高的实用价值,《微电子封装技术》特别适合于从事微电子封装研发与生产的科技人员,以及从事SMT行业的从业者阅读。同时,它也是高校相关专业师生的一本极具价值的参考资料。

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客服
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    微电子封装技艺是指将微小的半导体器件组装、连接和保护起来的技术,旨在确保芯片与外部电路有效连接及信号传输,同时提供物理防护。 《微电子封装技术》一书全面系统地探讨了晶体管与集成电路(IC)发展历程中的典型微电子封装技术,并重点介绍了当前广泛应用的先进IC封装技术,如QFP、BGA、CSP、FCB、MCM及3D封装等。书中还展望了未来微电子封装技术的发展趋势。 全书共分为8章:绪论;芯片互连技术;插装元器件的封装技术;表面安装元器件的封装技术;BGA和CSP的封装技术;多芯片组件(MCM)以及微电子封装基板材料、介质材料、金属材料及基板制作技术。书中还附有与微电子封装相关的缩略语中英文对照表,方便读者查阅。 该书知识面广泛且实用性强,非常适合从事微电子封装研发和生产的科技人员阅读,并且也是SMT业界人士宝贵的参考书籍;同时它也是一本适合高校相关专业师生的有价值的参考资料。
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    本演示文稿探讨了集成电路测试和封装的关键技术和最新进展,包括测试方法、设备选择以及封装设计对性能的影响。 集成电路的测试与封装技术.pptx这份文档主要探讨了集成电路在生产过程中的关键步骤和技术细节,包括但不限于如何进行有效的电路测试以及各种先进的封装方法。这些内容对于理解和优化集成电路的设计、制造及应用具有重要意义。
  • 制造:原理
    优质
    《集成电路制造技术:原理和工艺》一书深入浅出地介绍了半导体器件及集成电路的基本原理与制造工艺流程,旨在为读者提供全面的技术指导。 本段落系统地介绍了当前硅集成电路制造所采用的工艺技术。第一单元主要介绍硅衬底的相关内容,包括硅单晶的结构特点、单晶硅锭的拉制以及体硅片和外延硅片的制造工艺及相关理论。第二至第五单元则详细阐述了硅芯片制造的基本单项工艺(如氧化与掺杂、薄膜制备、光刻等)的原理、方法及设备,同时介绍了这些技术所依赖的基础知识和技术发展趋势。附录A通过制作双极型晶体管为例,概述了微电子生产实习中的全部工艺步骤和检测技术。
  • 【考研备考资料】制造(原理与)PPT
    优质
    本PPT为考研备考资料,专注于微电子工艺中的集成电路制造技术,涵盖原理与实际工艺流程,旨在帮助学生深入理解并掌握相关专业知识。 本资源为【考研复习资源】微电子工艺集成电路制造技术(原理与工艺)PPT。集成电路从小规模迅速发展到大规模及超大规模,电子产品因此朝高效能低能耗、高精度、高稳定性和智能化方向迈进。 微电子工艺是指利用半导体材料制作微电子产品的技术和方法。尽管不同产品所需的具体生产工艺各异,但这些生产过程均可分解为一系列基本相似的小单元或工序(即内容相近且目标相同的步骤),被称为单项工艺。而不同的电子产品则是通过将这些单项工艺按特定顺序排列组合来实现的,这便是所谓的工艺流程。 当前电子产品的趋势是更小、更快和更低能耗。现有的生产工艺将进一步成熟和完善;同时新技术也在不断涌现。目前光刻技术已能达到0.045微米线宽水平,但由于量子尺寸效应的存在,集成电路线宽有物理极限约为35纳米(即0.035微米)。此外,硅片的平整度也会影响工艺特征尺寸进一步小型化。 硅是微电子工业中最常用的半导体材料,在整个行业中占据约95%的比例。对它的研究最为深入且生产工艺最成熟,在集成电路中几乎全部使用的是硅材料。 杂质缺陷是非本征点缺陷的一种形式,指的是存在于硅晶体中的外来原子。
  • _cmos制造—soi_
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    本简介探讨CMOS集成电路制造中的SOI(绝缘体上硅)技术,分析其在减少漏电流、提高工作频率和降低功耗等方面的优势及其应用前景。 CMOS集成电路制造工艺是指用于生产互补金属氧化物半导体器件的技术流程。这一过程包括了从硅片准备到最终测试的多个步骤,涉及到了光刻、蚀刻、离子注入等关键工序。通过这些复杂的步骤,可以实现大规模集成电子电路的设计与制作。
  • CMOSESD分析
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    本文章主要探讨了在CMOS集成电路设计中静电放电(ESD)保护技术的应用与优化,深入分析了各种ESD保护电路结构及其性能特点。 为了适应VLSI集成密度与工作速度的不断提升,新的集成电路NSD保护电路设计不断涌现。本段落首先介绍了ESD(静电放电)失效模式及其机理,并从工艺、器件及电路三个层次详细探讨了ESD保护模块的设计思路。 在芯片制造、封装、测试以及使用过程中普遍存在静电现象。积累起来的静电荷会以几安培到几十安培的大电流,在纳秒至微秒的时间内迅速释放,产生的瞬间功率可达几百千瓦,放电能量可能达到毫焦耳级别,对芯片具有极大的破坏力。因此,在芯片设计中,ESD保护模块的设计至关重要,直接关系到整个电路的功能稳定性。 随着工艺技术的进步,器件的特征尺寸逐渐减小,栅氧化层也随之变薄。二氧化硅材料的介电强度大约为8×10^6 V/cm, 因此当栅氧厚度减少至10 nm时,其击穿电压约为8V左右。
  • 器件材料.pdf
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    《微电子器件封装技术及材料》一书聚焦于介绍现代微电子领域中关键的封装技术和相关材料的发展现状与未来趋势。涵盖了从基础理论到实际应用的全面内容,旨在为读者提供深入理解微电子器件封装领域的知识体系和技术进展。 微电子器件封装:封装材料与封装技术.pdf 该文档详细介绍了微电子器件的封装技术和所用材料的相关知识,旨在帮助读者了解如何选择合适的封装方式和技术以提高产品的性能、可靠性和成本效益。书中涵盖了各种常见的封装类型及其适用场景,并探讨了新兴的技术趋势和挑战。 (注:原文中未包含具体联系方式或链接信息,因此重写时没有做相应改动)