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高性能带隙基准源电路(含自偏置功能)- 综合文档

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简介:
本综合文档探讨了高性能带隙基准源电路的设计与应用,特别关注其自偏置功能,旨在提高电路稳定性和精度。 在讨论带有自偏置功能的高性能带隙基准源电路之前,首先需要了解带隙基准源(Bandgap Reference,简称BGR)的基本概念。带隙基准源是一种温度补偿基准电压源,它能够提供一个与温度变化关系非常小的稳定电压,在模拟电路设计中如数模转换器(DAC)、模数转换器(ADC)以及各类电源管理电路中起着关键作用。 BGR的设计原理涉及两个性质不同的电压:一个是具有负温度系数(NTC),通常对应双极结型晶体管(BJT)的基极-发射极电压(VBE);另一个是正温度系数(PTC),代表不同电流密度下的两个BJT VBE差值。通过适当组合这两个电压,可以得到一个总温度系数接近于零的输出电压,即该电路能够提供几乎不随温度变化而改变的稳定基准电压。 文中提到的设计采用了HLMC55LP工艺,并且输入电压范围为1.6V至3.3V,输出精度在1.2V±2%范围内。这表明设计具有良好的低电源兼容性。采用新的电路结构和方法(如自偏置电路结构和源极负反馈补偿)可以提高基准电压的稳定性。 自偏置功能是指运放的偏置电流由带隙基准主体电路提供,而无需外部电源或其他独立的偏置电路,这样设计有助于提升整个系统的稳定性和减少工艺变化对性能的影响。 启动电路在模拟电路中是必要的,它确保系统从初始状态进入正常工作模式。文中提到,在上电过程中,NM4开启使得PM9栅电压为低值,并通过PM9拉高电源电压;随后NM3产生偏置电流使运放和带隙基准主体开始运作;当PM8镜像的电流产生的电压超过一定阈值时,整个电路进入正常工作状态。 环路补偿与修调(trimming)用于优化性能并提高准确性。在模拟设计中,通过调整电阻值来微调参数以达到最佳输出效果是常见的做法。 带隙核心电路作为BGR中最关键的部分负责产生和维持基准电压。它包括精确匹配的晶体管和电阻元件,确保电压稳定性和准确度。文中提到的设计方法创新了这一部分结构,并利用运放反馈控制输出电压来实现所需的精度与温度特性。 高性能带隙基准源设计需要全面考虑工艺、电源范围、电流需求以及温度等因素的影响,在详细电路分析的基础上通过模拟仿真得到满足性能要求的最终产品。

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    本综合文档探讨了高性能带隙基准源电路的设计与应用,特别关注其自偏置功能,旨在提高电路稳定性和精度。 在讨论带有自偏置功能的高性能带隙基准源电路之前,首先需要了解带隙基准源(Bandgap Reference,简称BGR)的基本概念。带隙基准源是一种温度补偿基准电压源,它能够提供一个与温度变化关系非常小的稳定电压,在模拟电路设计中如数模转换器(DAC)、模数转换器(ADC)以及各类电源管理电路中起着关键作用。 BGR的设计原理涉及两个性质不同的电压:一个是具有负温度系数(NTC),通常对应双极结型晶体管(BJT)的基极-发射极电压(VBE);另一个是正温度系数(PTC),代表不同电流密度下的两个BJT VBE差值。通过适当组合这两个电压,可以得到一个总温度系数接近于零的输出电压,即该电路能够提供几乎不随温度变化而改变的稳定基准电压。 文中提到的设计采用了HLMC55LP工艺,并且输入电压范围为1.6V至3.3V,输出精度在1.2V±2%范围内。这表明设计具有良好的低电源兼容性。采用新的电路结构和方法(如自偏置电路结构和源极负反馈补偿)可以提高基准电压的稳定性。 自偏置功能是指运放的偏置电流由带隙基准主体电路提供,而无需外部电源或其他独立的偏置电路,这样设计有助于提升整个系统的稳定性和减少工艺变化对性能的影响。 启动电路在模拟电路中是必要的,它确保系统从初始状态进入正常工作模式。文中提到,在上电过程中,NM4开启使得PM9栅电压为低值,并通过PM9拉高电源电压;随后NM3产生偏置电流使运放和带隙基准主体开始运作;当PM8镜像的电流产生的电压超过一定阈值时,整个电路进入正常工作状态。 环路补偿与修调(trimming)用于优化性能并提高准确性。在模拟设计中,通过调整电阻值来微调参数以达到最佳输出效果是常见的做法。 带隙核心电路作为BGR中最关键的部分负责产生和维持基准电压。它包括精确匹配的晶体管和电阻元件,确保电压稳定性和准确度。文中提到的设计方法创新了这一部分结构,并利用运放反馈控制输出电压来实现所需的精度与温度特性。 高性能带隙基准源设计需要全面考虑工艺、电源范围、电流需求以及温度等因素的影响,在详细电路分析的基础上通过模拟仿真得到满足性能要求的最终产品。
  • 的设计
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    本设计提出了一种新型高性能自偏置带隙基准源,旨在优化电路性能,实现低电压、低功耗及高温度稳定性的目标。 本段落基于传统CMOS带隙基准源电路的分析与总结,在无锡上华0.15μm混合CMOS工艺的支持下,采用电流镜共源共栅结构屏蔽技术,并结合一级温度补偿、电流反馈技术和运放电路设计了一款具有高电源抑制比、低温度系数及自偏置电压特性的带隙基准源电路。
  • CMOS设计
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    本研究专注于高性能CMOS带隙基准电压源的设计与优化,致力于提升其温度稳定性、功耗效率及输出精度,在集成电路领域具有重要应用价值。 设计了一种应用于集成稳压器的高精度带隙基准电压源电路。采用共源共栅电流镜结构以及精度调节技术,有效提高了电压基准的温度稳定性和输出电压精度。通过Hynix 0.5 μm CMOS工艺仿真验证,在25 ℃时,温度系数几乎为零,电源电压变化导致的基准电压波动小于0.1 mV;在-40~125 ℃范围内,基准电压最大变化量为4.8 mV,满足设计指标要求。
  • 优质
    带隙基准源电路是一种在集成电路中广泛应用的电压参考电路,能够提供温度稳定的电压输出。它基于半导体材料的带隙电压特性设计,广泛应用于各种需要稳定电压源的电子设备中。 ### 带隙基准源详解 #### 一、引言 在模拟电子设计领域,带隙基准源(Bandgap Reference)是一种重要的电路组件,用于提供一个稳定且精确的电压参考值,不受温度变化的影响。这一特性使其成为精密电源管理、信号处理及数据转换等众多应用中的关键组成部分。本段落将详细介绍带隙基准源的基本原理、设计方法及其在实际应用中的重要性。 #### 二、带隙基准源的基本原理 带隙基准源的核心在于利用两种不同材料或结构的半导体元件之间的电压差随温度的变化率来抵消单一元件随温度变化的影响,从而实现温度补偿。通常情况下,该电路由两个PN结组成:一个是发射极与基极之间的电压(VBE),另一个是经过特殊设计的“带隙”电压(Vgap)。 1. **VBE温度特性**:对于典型的硅基PN结,VBE随着温度的升高而线性下降,其温度系数约为-2.1mV/°C。 2. **Vgap温度特性**:通过特定设计,可以得到一个几乎不随温度变化的电压值,即带隙电压Vgap。这个电压值通常在1.2伏左右(对于硅材料)。 将这两种电压组合起来,可以通过适当的电阻比例调整来消除温度的影响,从而获得一个稳定的参考电压。 #### 三、设计要点 1. **温度补偿**:选择合适的电阻比以确保VBE和Vgap的温度效应相互抵消。这通常涉及到复杂的电路设计和仿真分析。 2. **电流镜像技术**:为了保持电路中各部分的电流一致性,常采用电流镜像技术。这样可以减少由于电流不匹配导致的误差。 3. **工艺兼容性**:带隙基准源的设计需要考虑与现有半导体制造工艺的兼容性,确保能够在标准的CMOS工艺中实现。 #### 四、实际应用案例分析 根据所提供的部分内容,James D. Beasom在IEEE Journal of Solid-State Circuits上发表的文章详细介绍了温度效应对带隙参考源的影响及其准确分析方法。这表明了带隙基准源不仅在理论上有着深入的研究,在实践中也得到了广泛的应用和发展。 - **温度效应分析**:通过精确地分析不同温度下PN结的特性,能够优化电路设计,提高参考电压的稳定性。 - **高精度应用**:在需要极高精度电压参考的场合,如高性能ADCDAC、精密放大器等,带隙基准源的准确性至关重要。 - **辐射硬化设计**:文章提到的辐射硬化设计意味着这些电路能够在极端环境下工作,如太空应用等。 #### 五、总结 带隙基准源作为一种基本但极其重要的电路组件,在模拟电子设计中扮演着不可替代的角色。通过对基本原理的理解、精确的设计以及在实际应用中的不断优化,带隙基准源能够为各种电子产品提供稳定可靠的电压参考,从而确保系统的整体性能。未来,随着对更高精度和更小尺寸的需求不断增加,带隙基准源的技术也将继续发展和完善。
  • 低温度漂移的设计
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    本研究专注于开发一种高性能、低温度漂移特性的带隙基准源。通过优化电路结构和材料选择,显著提升了基准电压的稳定性和精度,适用于高精度测量与控制领域。 本段落设计并实现了一种新型的高PSRR(电源抑制比)且低TC(温度系数)带隙基准源,并着重研究了其在高频下的PSRR性能,在宽频范围内实现了高性能指标。采用0.35 μm BiCMOS工艺进行仿真,结果显示:当频率为1 Hz时,PSRR达到-108.5 dB;而当频率升至15 MHz时,仍能保持良好的抑制效果达-58.9 dB。此外,通过二次温漂补偿电路的应用,在常温条件下输出参考电压稳定在1.183 V,并且在整个温度范围(从-40 ℃到95 ℃)内实现了仅为1.5 ppm/℃的低温漂系数。
  • 的設計
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    本项目专注于设计一种低功耗的带隙基准电压源电路,致力于提高其稳定性和温度系数,适用于各种集成电路中。 本段落提出了一种三层self-cascode管子工作在亚阈值区的低功耗带隙基准电压源电路。该电路具有结构简单、功耗低、温度系数小、线性度好以及面积紧凑等特点。采用CSMC 0.18 μm标准CMOS工艺,并利用华大九天Aether软件验证平台进行仿真。 仿真的结果显示,在tt工艺角条件下,电路的启动时间为6.64微秒,稳定输出基准电压Vref为567毫伏;当温度范围在-40℃到125℃之间时,tt工艺角下基准电压Vref的温度系数TC为18.8 ppm/°C。电源电压从1.2 V变化至1.8 V范围内时,tt工艺角下的线性度为2620 ppm/V;在频率范围从10 Hz到1 kHz内,tt工艺角下基准电压Vref的电源抑制比(PSRR)达到51 dB;版图核心面积仅为0.00195平方毫米。
  • 双层缝天线
    优质
    本研究提出了一种创新的高性能双层缝隙耦合微带天线设计,通过优化结构参数显著提升了天线的工作效率与宽带性能。 ### 高增益双层缝隙耦合微带天线的关键知识点 #### 一、研究背景与目标 在当前通信技术迅速发展的背景下,微带天线因其轻薄、易于集成等特性,在无线通信系统中占据着重要的地位。然而,传统微带天线存在带宽较窄的问题,这限制了其在宽带通信中的应用。为了提高微带天线的性能,研究人员一直在探索各种方法来增加其阻抗带宽和增益带宽,同时减少天线尺寸。本研究提出了一种新的双层堆叠式微带天线设计,旨在解决这些问题。 #### 二、技术细节与创新点 ##### 1. 双层堆叠结构 本论文介绍了一种在9.5~16GHz频率范围内工作的双层堆叠微带天线的设计。这种天线采用双层堆叠的结构,在基板之上放置两个相互堆叠的微带贴片,通过缝隙耦合实现能量传输。相较于传统的单层微带天线,该结构能够显著增加天线的阻抗带宽和增益带宽。 ##### 2. 阻抗带宽提升 研究发现,通过优化双层堆叠结构,天线的阻抗带宽可以提高至44%,这表明该天线能够在更宽的频率范围内保持良好的匹配性能。这一改进对于需要宽频带操作的应用场景非常重要。 ##### 3. 增益带宽提升 除了阻抗带宽外,该天线还实现了增益带宽的显著提升。增益超过8dB的带宽增加到了5.1GHz(占总带宽的40%),这意味着在较宽的频率范围内,天线都能够提供较高的增益,这对于远距离通信尤为重要。 ##### 4. 减小天线厚度 尽管采用了双层堆叠结构,但通过优化设计,天线的整体厚度仅达到0.14λ(λ为工作波长),这使得天线具有更紧凑的尺寸,便于在有限的空间内安装和使用。 #### 三、设计参数与优化 为了实现上述性能指标,研究团队对多个设计参数进行了深入分析: - **介质位置**:介质的位置对天线的性能有着直接的影响。通过调整介质层相对于贴片的位置,可以有效控制天线的阻抗特性。 - **贴片位置**:上下两层贴片之间的相对位置也是影响天线性能的重要因素之一。合理安排贴片之间的距离可以进一步提高天线的带宽。 - **缝隙尺寸**:缝隙的大小直接影响到能量耦合效率。优化缝隙尺寸有助于提高天线的整体效率。 - **顶层贴片长度**:顶层贴片的长度对天线的增益有显著影响。通过调整顶层贴片的长度,可以在保持较小体积的同时获得更高的增益。 #### 四、应用场景与意义 这种高增益双层缝隙耦合微带天线具有较宽的工作带宽和高增益特性,非常适合应用于需要宽带通信的领域,如卫星通信、雷达系统以及高速无线数据传输等。此外,其紧凑的设计使其成为移动通信设备的理想选择,例如手机基站、便携式通信设备等。 通过采用双层堆叠结构并优化设计参数,本段落提出的微带天线在保持紧凑尺寸的同时,实现了阻抗带宽和增益带宽的显著提升,为宽带通信应用提供了一种有效的解决方案。
  • 的整体
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    本研究聚焦于设计与分析带隙基准电压源的整体电路结构,探讨其在集成电路中的应用及其性能优化。 本段落介绍了一款高性能带隙基准电压源的总体电路图。该电路采用Chartered 0.35μm CMOS工艺实现,并使用3.3V电源电压,在-40至100℃的温度范围内,实现了低于6ppm/℃的温度系数;在1kHz和27℃条件下,电源抑制比达到了82dB。
  • 耗CMOS设计
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    本项目专注于低功耗CMOS工艺下的带隙基准电压源设计,旨在实现高精度、低功耗与小面积集成,适用于各类集成电路中。 本段落首先分析了传统的带隙电压源原理,并提出了一种成本较低但性能较高的低压带隙基准电压源设计方案。通过采用电流反馈技术和一级温度补偿技术设计了适用于低电压环境的CMOS带隙基准电路,确保其能够在相对较低的工作电压下正常运行。文中详细介绍了该设计方案的基本原理和仿真结果分析。基于CSMC 0.5μm Double Poly Mix工艺流程进行了电路仿真,并获得了理想的结果。
  • 精度技术中的实现
    优质
    本文探讨了高精度带隙基准电压源电路的设计与优化,并详细介绍了其在现代电源技术中的应用及实现方法。 近年来,模拟集成电路设计技术与CMOS工艺技术同步快速发展,芯片系统集成(SoC)技术得到了学术界及工业界的广泛关注。随着系统结构的日益复杂化,对诸如A/D转换器、D/A转换器、滤波器以及锁相环等基本模块提出了更高的速度要求。由于电流输出和电流几乎不受电压变化的影响,这使得片内集成电容成为可能。