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IEC 60747-8:2021 新版完整标准 —— 半导体器件 - 分立器件 - 场效应晶体管,英文版共160页

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简介:
《IEC 60747-8:2021》是关于半导体分立器件中场效应晶体管的最新国际标准。该英文版文档共计160页,全面涵盖了MOSFET及其他类型场效应晶体管的技术规范和测试方法。 新版完整标准 IEC 60747-8:2021 半导体器件 - 分立器件 - 第8部分:场效应晶体管 - 完整英文版(160页)。

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  • IEC 60747-82021 —— - - 160
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    《IEC 60747-8:2021》是关于半导体分立器件中场效应晶体管的最新国际标准。该英文版文档共计160页,全面涵盖了MOSFET及其他类型场效应晶体管的技术规范和测试方法。 新版完整标准 IEC 60747-8:2021 半导体器件 - 分立器件 - 第8部分:场效应晶体管 - 完整英文版(160页)。
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    本文件为IEC 60747-6-2016标准,详述半导体器件第6部分的规范,专注于独立晶闸管器件的技术要求和试验方法。 IEC 60747-6-2016 半导体器件 第6部分:分立器件 晶闸管.pdf 这段文档是关于半导体器件的标准之一,具体针对的是第6部分中的分立器件——晶闸管。这份标准为相关领域的设计、制造和使用提供了详细的规范和技术指导。
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  • IEC 62061-2021 .pdf
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  • JEDEC JESD74A:2007(R2019)- 早期故障率计算指南(电子35
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    本指南为半导体行业工程师提供了一套标准化的方法来计算和理解半导体器件的早期故障率。基于JEDEC标准JESD74A修订版2019,涵盖理论基础、统计模型及应用案例,旨在帮助提高产品可靠性和质量控制水平。文档共35页,全英文电子版。 JEDEC JESD74A:2007(R2019)标准提供了计算半导体元件早期故障率的方法,该方法基于加速测试,其失效率为恒定或随时间降低。对于拥有足够现场数据的技术,则可以采用替代方式来确定早期故障率。本标准的目标是定义执行早期寿命内组件故障率测量和计算的具体程序。这些预测有助于将可靠性性能与目标进行比较、提供反馈信息、支持服务成本估算以及制定产品测试及筛选策略,以确保满足客户对ELFR(Early Life Failure Rate)的要求。
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    本文件提供了IEC 62037-6:2021新版标准的全面内容,详述了电气设备标识符及数据交换的相关规范,为行业提供最新的技术指导和要求。 新版完整标准 IEC 62037-6-2021 提供了最新的技术规范和要求,适用于相关领域的专业人士和技术人员参考使用。