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Micron DDR3 数据表

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简介：
本数据表详述Micron DDR3内存的技术规格，涵盖速度、电压、时序及兼容性等信息，为设计与应用提供指导。 Micron DDR3 数据手册提供了关于 Micron 制造的 DDR3 内存模块的技术规格、电气特性以及应用指南等相关信息。数据手册详细描述了内存的工作原理、引脚定义及信号时序等关键内容，为设计人员和工程师在使用该系列内存产品进行开发工作时提供重要的参考依据。

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  • Micron DDR3 数据表
    优质
    本数据表详述Micron DDR3内存的技术规格，涵盖速度、电压、时序及兼容性等信息，为设计与应用提供指导。 Micron DDR3 数据手册提供了关于 Micron 制造的 DDR3 内存模块的技术规格、电气特性以及应用指南等相关信息。数据手册详细描述了内存的工作原理、引脚定义及信号时序等关键内容，为设计人员和工程师在使用该系列内存产品进行开发工作时提供重要的参考依据。
     
  • Micron 3D TLC 数据表
    优质
    Micron 3D TLC数据表提供了有关该存储芯片的技术规格详情，包括容量、读写速度和耐用性等关键信息，是设计和选择固态硬盘的重要参考。 Micron 3D TLC B0KB 数据手册提供了关于该存储芯片的详细技术规格和参数信息。文档内容涵盖了芯片的工作原理、电气特性以及应用指南等方面的内容。对于需要深入了解 Micron 3D TLC B0KB 芯片特性的工程师和技术人员来说，这份数据手册是非常有价值的参考资料。
     
  • Micron DDR3 仿真模型
    优质
    Micron DDR3仿真模型是用于模拟Micron公司生产的DDR3内存芯片性能和行为的虚拟工具，适用于硬件设计、验证及软件开发。 micron ddr3 仿真模型的verilog版本
     
  • Micron 256Gb L74A NAND Flash 数据表
    优质
    本数据表详述了Micron公司生产的256Gb L74A NAND闪存芯片的各项技术规格，包括存储容量、接口类型及性能参数等信息。 MICRON 256Gb NAND FLASH DATASHEET提供了关于该存储芯片的详细技术规格和参数信息。文档内容涵盖了器件的操作特性、电气性能以及应用指南等方面，为设计人员在使用这款NAND Flash时提供必要的参考和支持。
     
  • Samsung DDR3 数据表.pdf
    优质
    本PDF文档提供了三星公司DDR3内存的技术规格和性能参数，包括时序、电压、频率等详细信息，是工程师和技术人员设计与调试相关硬件的重要参考。 Samsung DDR3 Datasheet.pdf包含了三星公司生产的DDR3内存的相关技术规格和技术参数。这份文档为开发人员、硬件工程师和其他相关人员提供了必要的信息，以确保与三星DDR3内存模块的兼容性和优化性能。其中详细描述了内存的工作频率、时序设置、电气特性以及其他重要参数，有助于用户更好地理解和使用该产品。
     
  • Micron NAND Flash 数据手册
    优质
    本数据手册详尽介绍了Micron公司的NAND闪存技术规格、参数和应用指南，为工程师提供全面的设计支持。 镁光NAND Flash的芯片手册无法在网上免费下载。
     
  • 南亚 NANYA DDR3 规格书和数据表
    优质
    本资料包含南亚NANYA DDR3内存的技术规格与性能参数，涵盖各种型号的数据表、电气特性及应用指南。 The 4Gb Double-Data-Rate-3 (DDR3(L)) DRAM is a high-speed CMOS SDRAM with 4,294,967,296 bits. It has an internal configuration as an octal-bank DRAM and is organized either as 64Mbit x 8 I/O x 8 banks or 32Mbit x16 I/O x 8 banks. These synchronous devices achieve double-data-rate transfer rates up to 2133 Mb/sec/pin for general applications. The chip adheres to all key DDR3(L) DRAM features, and control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks. Input signals are latched at the crosspoint where one clock signal (CK rising edge) or its inverse (CK falling edge) is present. All I/O operations synchronize with either a single-ended DQS or a differential DQS pair in a source-synchronous manner. These devices operate on power supplies of 1.5V ±0.075V or 1.35V (-0.067V/+0.1V) and are available in Ball Grid Array (BGA) packages.
     
  • Micron DDR2 MT47H系列数据手册
    优质
    Micron DDR2 MT47H系列数据手册提供了关于该内存模块的技术规格、电气特性及应用指南等详细信息，是进行设计和开发的重要参考文档。 micro MT47H32M16、MT47H64M8 和 MT47H128M4 的 512Mb x4, x8, x16 DDR2 SDRAM 特性如下：
     
  • 镁光MT41J128M16 DDR3数据手册
    优质
    镁光MT41J128M16 DDR3是一款高速内存模块的数据手册，提供了详细的技术参数和使用指南。 文档详细介绍了这款低功耗DDR3的数据资料，是硬件开发和软件驱动编写的良好参考工具。
     
  • Micron DDR2 Datasheet
    优质
    《Micron DDR2 Datasheet》提供了由Micron Technology公司生产的DDR2内存模块的技术规格和性能参数，是开发人员进行硬件设计与调试的重要参考文档。 美光公司提供的DDR2数据手册详细描述了DDR2的时序及操作步骤，是IC设计人员不可或缺的重要资料。