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忆阻器的Simulink建模与GUI设计

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简介：
本文介绍了忆阻器在Simulink环境下的建模方法及其图形用户界面的设计过程，旨在为忆阻器的研究者提供实用工具。 本段落研究了惠普忆阻器的电荷控制与磁通量控制模型，并构建了一个Simulink仿真模型以展示其特性，同时提供了相应的仿真结果。此外，设计了一种基于MATLAB的图形用户界面，能够直观地展现忆阻器的特点。通过该界面，使用者可以选择或设定输入电压类型及参数、以及忆阻器模型的相关参数，从而便捷地观察输出结果。这种方法为人们更直观地学习和研究忆阻器提供了一个有效途径。

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  • 忆阻器的Simulink建模与GUI设计
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    本文介绍了忆阻器在Simulink环境下的建模方法及其图形用户界面的设计过程，旨在为忆阻器的研究者提供实用工具。 本段落研究了惠普忆阻器的电荷控制与磁通量控制模型，并构建了一个Simulink仿真模型以展示其特性，同时提供了相应的仿真结果。此外，设计了一种基于MATLAB的图形用户界面，能够直观地展现忆阻器的特点。通过该界面，使用者可以选择或设定输入电压类型及参数、以及忆阻器模型的相关参数，从而便捷地观察输出结果。这种方法为人们更直观地学习和研究忆阻器提供了一个有效途径。
     
  • 基于Simulink的忆阻器建模（2014年）
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    本研究于2014年开展，采用Simulink工具对忆阻器进行建模和仿真分析，旨在深入探索其电气特性和应用潜力。 为了使忆阻器能够与其他器件相结合，本段落在惠普实验室提出的忆阻器物理模型电路关系的基础上，在Simulink中采用两种方法对忆阻器进行了双端口建模，从而方便且准确地实现了对于忆阻器的仿真。相较于编写M文件、构建图形用户界面和搭建输入输出模型的传统方法，基于Simulink的双端口模型不仅能够直观展示忆阻器的输入输出特性，还具有更广泛的应用前景，对忆阻器的研究提供了重要的指导作用。
     
  • 忆阻器建模与高精度忆阻值读写电路设计研究（2014年）
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    本研究聚焦于忆阻器模型建立及其高精度读写电路的设计，深入探讨了忆阻器在存储和计算中的应用潜力，力求提高忆阻器系统的性能和可靠性。 我们设计了一种荷控忆阻器的理论模型，并使用现有的电路元件进行构建。由于将忆阻器应用于存储器、神经网络及信号处理等领域需要其具备读取与写入功能，而当前多数忆阻器仅能执行数字量（0和1）的操作，缺乏模拟量操作的能力。因此，我们利用荷控忆阻器的电荷特性提出了一种方法来读取其模拟值，并且根据该器件的频率特性设计了一个反馈式电路用于写入任意范围内的模拟数据。仿真结果证实了所提方案的有效性。
     
  • memristive_MNNs_code.zip_忆阻_忆阻matlab_忆阻器模型_忆阻神经网络同步性的实现
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    本资源包包含用于研究和仿真基于忆阻器的神经网络（MNN）的相关MATLAB代码，重点在于实现忆阻器模型及其在神经网络同步性中的应用。 构建了一个简单的忆阻神经网络的MATLAB模型，并设计了自适应控制器以实现驱动-响应同步。
     
  • 忆阻器模型：用MATLAB进行的记忆电阻器模拟
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    本简介探讨了利用MATLAB软件工具对记忆电阻器（忆阻器）建模与仿真研究，旨在深入理解其工作原理和特性。 记忆电阻器（忆阻器）是继传统元件R、L 和 C之后的第四种基本无源非线性元件。忆阻器的概念由LO Chua在1971年提出，但直到最近才被HP实验室的研究人员重新发现并引起关注。预计其将在理论研究和纳米电子行业中产生重大影响。本段落是在Simulink/Matlab环境中对忆阻器进行模拟，并采用了Dmitri B. Strukov等人及自然杂志与Yogesh N. Joglekar等人的研究成果中的参数值构建模型。
     
  • 基于Matlab的忆阻器建模与分析：求解忆阻器方程并生成Matlab代码-_matlab项目
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    本项目利用MATLAB进行忆阻器建模与分析，包括求解忆阻器方程和编写相关代码。旨在深入研究忆阻器特性及其应用潜力。 忆阻器有多种型号，在给定的文件中提供了具有Joglekar窗和Prodromakis窗的忆阻器的Matlab非线性边界漂移模型。通过取消注释所需的窗口方程并注释掉其他窗口方程，可以选择上述模型之一。
     
  • MATLAB.zip_忆阻与混沌电路_忆阻器_MATLAB仿真
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    本资源包提供了关于忆阻器及其在混沌电路应用中的MATLAB仿真代码。通过这些材料，用户能够深入理解忆阻器的工作原理，并探索其在复杂系统建模和分析方面的潜力。 关于基于忆阻器的混沌电路设计的MATLAB程序。
     
  • Matlab忆阻器模拟-memristor-memristor.m
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    本资源提供了一个MATLAB脚本memristor.m，用于模拟和分析忆阻器（memristor）的行为特性。通过该工具可以深入研究忆阻器在不同条件下的电阻变化规律及其应用潜力。 作为Matlab初学者，我有很多东西要学习。现在我在使用一个名为memristor-memristor.m的源代码来实现忆阻器的I-V曲线功能，但这个程序不够灵活，需要手动调整参数ratio、v0 和 ω0。我想将这些参数设置为可调节范围内的值，但是不知道如何操作。如果直接把参数放入方程中能否求解也是一个疑问，在获得结果s后，我还想知道怎样将参数替换为具体的数值，我听说可以使用subs函数来实现这一点，但该函数似乎只能替换单个变量t。我希望有人能帮助扩展这个程序，并且在网上找到了一个Mathematica的实现例子（关于忆阻器I-V特性的演示）。我的下一步是创建GUI并添加动画功能，希望能把这个项目做得更好。