化学机械平坦化技术(CMP)

简介：
化学机械平坦化（CMP）技术是一种用于半导体制造中的平面化工艺，通过化学腐蚀与机械研磨相结合的方式，去除多余的材料，使表面变得光滑平整。 化学机械研磨技术（CMP）结合了物理性的打磨与化学反应的抛光作用，能够使晶圆表面变得均匀平坦，从而为后续薄膜沉积过程提供便利条件。 在CMP工艺中使用的设备包括：用于将晶圆压紧并旋转于研磨垫上的研磨头以及反向自转的研磨垫。当进行研磨时，在晶圆与研磨垫之间添加由微粒构成的抛光液，以此来实现高效的打磨效果。 影响这一过程的因素众多，比如施加在晶圆上的压力、晶圆本身的平整度情况、旋转速度参数设定（包括晶圆和研磨盘的速度）、使用的抛光液成分及其化学性质、操作温度以及所用研磨垫的材质特性与磨损程度等。