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MOSFET在开关电源中常见故障原因及解决方法

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简介：
本文探讨了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在开关电源中的常见故障原因，并提供了相应的解决方案。 本段落总结了MOS失效的六种原因，并重点介绍了其中的前两点，希望能为大家提供帮助。

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  • MOSFET在开关电源中常见故障原因及解决方法
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    本文探讨了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在开关电源中的常见故障原因，并提供了相应的解决方案。 本段落总结了MOS失效的六种原因，并重点介绍了其中的前两点，希望能为大家提供帮助。
     
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    本文探讨了MOSFET在开关电源应用中的常见故障及其成因，并提供了有效的解决方案和预防措施。 本段落首先总结了MOS失效的六种原因，并重点分析了前两种： 1. 雪崩失效（电压失效）：当漏源间的BVdss电压超过MOSFET的额定值并且超出其承受范围时，会导致器件失效。 2. SOA失效（电流失效）：这是由于工作条件超出了安全操作区域而导致的故障。它包括两种情况：一是电流Id超过了器件的最大允许值；二是虽然没有达到最大电流限制，但由于长时间过高的损耗导致热积累而引起的失效。 其余原因还包括： 3. 体二极管失效：在桥式、LLC等拓扑结构中使用到MOSFET的体内二极管进行续流时，如果该二极管受到损害，则可能导致器件故障。 4. 谐振失效：当多个MOSFET并联工作时，由于栅极和电路寄生参数的影响而引发震荡现象，从而造成设备损坏。
     
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