三分钟掌握超级结MOSFET原理

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简介：
本视频简明扼要地介绍了超级结MOSFET的工作原理及其优势，帮助观众在三分钟内快速理解这一技术的核心概念。基于超级结技术的功率MOSFET已经成为高压开关转换器领域的标准配置。它们提供更低的RDS(on)值，并且具有更少的栅极电荷和输出电荷，这有助于在任意给定频率下保持更高的效率。在超级结MOSFET出现之前，平面技术是制造高压器件的主要设计平台。有些网友可能会好奇，超级结是什么样的技术？它与平面技术相比有何优势呢？传统平面式高压MOSFET的结构如图1所示。这种类型的MOSFET通常具有较高的单位芯片面积漏源导通电阻，并且伴随相对更高的漏源电阻值。通过使用高单元密度和大管芯尺寸可以实现较低的RDS(on)值，但这种方法也存在局限性。

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三分钟掌握超级结MOSFET原理

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本视频简明扼要地介绍了超级结MOSFET的工作原理及其优势，帮助观众在三分钟内快速理解这一技术的核心概念。基于超级结技术的功率MOSFET已经成为高压开关转换器领域的标准配置。它们提供更低的RDS(on)值，并且具有更少的栅极电荷和输出电荷，这有助于在任意给定频率下保持更高的效率。在超级结MOSFET出现之前，平面技术是制造高压器件的主要设计平台。有些网友可能会好奇，超级结是什么样的技术？它与平面技术相比有何优势呢？传统平面式高压MOSFET的结构如图1所示。这种类型的MOSFET通常具有较高的单位芯片面积漏源导通电阻，并且伴随相对更高的漏源电阻值。通过使用高单元密度和大管芯尺寸可以实现较低的RDS(on)值，但这种方法也存在局限性。

一篇文章掌握超级结MOSFET的优点

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本文全面解析了超级结MOSFET的优势，帮助读者快速了解其在高性能电力电子设备中的应用价值。平面式高压MOSFET的结构图1展示了其基本构造。这种类型的MOSFET通常具有较高的单位芯片面积漏源导通电阻以及相对更高的漏源电阻值。通过采用高单元密度及大管芯尺寸，可以实现较低的RDS(on)值。然而，这也会导致栅极和输出电荷量增大，从而增加开关损耗并可能提高成本。此外，在达到最低总硅片电阻方面也存在一定的限制。器件总的导通电阻（RDS(on)）由通道、外延层以及衬底三部分的电阻组成：RDS(on) = Rch + Repi + Rsub 图2则具体展示了在平面式MOSFET中构成这一总导通电阻的各个组成部分。对于低压应用，这三部分贡献大致相同；但随着额定电压升高，各分量间的差异会逐渐增大。

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