针对GaN HEMT的80nm非对称T型栅极的纳米制造技术

简介：
本研究专注于开发一种创新性的80nm非对称T型栅极工艺，专门用于氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT），旨在提升器件性能和制造效率。 本段落探讨了基于AlGaN/GaN的高电子迁移率晶体管（HEMT）中的电流崩溃问题，该现象通常由栅极边缘附近表面峰值电场引起，并且在缩小至100nm以下的栅长时，在高频运行中会变得更加严重。为了改善器件性能，我们根据仿真结果提出了一种新的T形栅极配置，它具有不对称臂结构。通过开发3D灰度电子束光刻技术来制造各种形状的非对称T形栅极，证明了这种门配置在技术上的可行性。 实验结果显示，新设计的非对称T形栅极能够有效地减少栅边电场，并降低源漏之间的寄生电容效应。因此，在高频操作条件下实现了更高的性能表现。我们期待将此新型结构应用于基于GaN材料的HEMT器件中，以期实现高击穿电压和高性能频率工作的目标。