
新型MOSFET PSPICE电路仿真热效应分析模型
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简介:
功率转换器的功率密度持续提升,散热性能的提升程度日益加剧。这种新型功率转换器的设计方案要求对现有大功率半导体技术和材料特性有更深入的理解和应用。在散热性能优化方面的要求已经超越了对大功率半导体器件等效电路建模的需求。本文提出了一种基于PSPICE的新热模型,通过该模型可以定量分析和预测MOSFET芯片在瞬态工作状态下各区域的温度分布情况。具体而言,本文所述模型中所需的热阻参数可通过查阅相关产品的技术手册或规格书来获取具体的热阻参数信息。此外,本文还介绍了MOSFET的一种新型等效热模型,该模型特别关注发热与电气性能之间的动态关系特性,并能为设计者提供参考依据。
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