MOSFET电容的计算方法

简介：
本文介绍了如何计算MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件中的寄生电容，包括不同类型的MOSFET电容及其对电路性能的影响，并提供了详细的计算公式和实例。 自30多年前首次推出以来，MOSFET已成为高频开关电源转换的主流技术，并且一直在不断改进。如今，我们已经拥有了具有极低RDSON值的低压MOSFET以及接近单位数字阻抗的高压器件。实现这些进步的主要原因在于沟槽栅极和电荷平衡结构这两项关键技术的发展。最初开发电荷平衡技术是为了生产超结（superjunction）MOSFET等高电压器件，但现在该技术也已扩展到更低的电压范围。尽管这种技术显著降低了RDSON以及所有连接电容，但它使后者变得更为非线性化。在MOSFET中有效存储的电荷和能量确实减少了，并且减少幅度相当大；然而，计算这些参数或比较不同类型的MOSFET以评估其性能变得更加复杂。