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STM32F103芯片产生SVPWM信号。

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简介:
我对SVPWM的理解,以及它在STM32F103微控制器中的具体应用进行了阐述。首先,我通过一系列图示,生动地阐释了六个步骤是如何共同作用以产生旋转磁场的。随后,我简要地概述了SVPWM的核心原理。最后,详细地介绍了如何在STM32F103平台上实现该技术。

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  • STM32F103SPI通.zip
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    本资源提供了一个基于STM32F103微控制器的双芯片SPI通信实现方案,包括硬件连接和软件编程示例,适用于嵌入式系统开发学习与实践。 在两个STM32F103芯片之间进行SPI通信的过程中,主机通过串口发送命令来触发数据的发送。从机则会中断接收这些指令,并且将接收到的数据通过串口打印到串口助手中。整个工程是在Keil环境下开发完成的。
  • 基于STM32F103SVPWM
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    本项目基于STM32F103芯片实现空间矢量脉宽调制(SVPWM)算法,适用于电机驱动控制领域,能够有效提升交流电机运行效率与性能。 本段落介绍了个人对SVPWM的理解及其在STM32F103中的实现方法。首先通过图形化的方式形象地解释了六步如何产生旋转磁场的过程,接着简要阐述了SVPWM的工作原理,最后详细描述了在STM32F103中具体实现的方法。
  • STM32F103成16路PWM
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  • STM32F103机使用TIM3成四路PWM
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    本文介绍了如何利用STM32F103微控制器的定时器TIM3模块来同时产生四个独立且可调的脉冲宽度调制(PWM)信号,为电子控制和电机驱动应用提供灵活的硬件解决方案。 使用STM32F103单片机的TIM3生成4路PWM信号时,如果需要更改引脚,请务必参考数据手册。
  • LED流程详解.pdf
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    本PDF文件详细解析了LED芯片生产的完整流程,涵盖材料准备、晶片生长、光刻工艺等关键步骤,适用于半导体行业技术人员及研究学者。 从LED芯片的原材料到最终成品,详细介绍其生产工艺流程如下: 1. **外延片生长**:首先通过化学气相沉积(CVD)技术在外延衬底上生长高质量的氮化镓(GaN)或其他化合物半导体材料层。 2. **晶圆制备**:将外延片切割成一定大小的晶圆,以便进行后续加工处理。这一阶段需要确保晶圆表面平整度高、厚度均匀等特性以保证LED芯片的质量和性能一致性。 3. **图形化工艺**:利用光刻技术和蚀刻技术,在晶圆上形成所需的电极图案,并去除不需要的部分材料,留下LED发光区的结构框架。 4. **金属沉积与电极制作**:在已经完成图形化的基板表面通过蒸镀或溅射等方法沉积一层薄而均匀的导电膜作为正负极接触层。随后采用光刻技术定义出具体的触点位置,并进行相应的蚀刻处理,形成最终LED芯片上的引线框架。 5. **切割分片**:将带有多个未独立出来的LED单元的整体晶圆通过激光或钻石刀具等精密设备将其分割成单个的LED芯片个体。此过程要求极高的精度以防止损伤器件和保证良率。 6. **测试筛选与封装**:对分离后的每个单独LED进行功能性和可靠性检测,剔除不良品,并根据客户需求选择合适的外壳形式(如陶瓷、塑料等)将合格的产品加以保护并提供电气连接接口。完成这一系列步骤后即得到成品LED芯片产品。 以上便是从原材料到最终产品的整个LED芯片制造过程概述。
  • STM32F103成互补型PWM
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    本文介绍了如何使用STM32F103微控制器生成互补型PWM信号的方法和步骤,适用于电机控制等应用场合。 在Keil开发环境下使用STM32F103C8T6单片机的标准库函数来实现定时器功能输出两组互补的PWM波形。
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    本项目介绍了一种基于AD9833 DDS芯片的信号发生器的设计与实现方法。该设计能够灵活生成高质量正弦波、方波等各类信号,适用于通信系统测试等领域。 本段落详细介绍了DDS芯片AD9833的原理和结构,并设计了一种基于AD9833的信号发生器。该系统采用了Silicon Labs公司推出的C8051系列单片机,具有结构简单、性能优良的特点。
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  • 基于MAX038的函数器设计
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    本简介介绍了一种基于MAX038芯片设计的函数信号发生器。该设备能够产生多种波形信号,并具备频率和幅度调节功能,适用于电子实验与测试。 使用集成芯片可以生成正弦波、方波和三角波,并且频率可调。