
准谐振反激在电源技术中的工作原理、应用及其参数计算
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简介:
本文章深入探讨了准谐振反激变换器的工作机制,并分析其在现代电源技术中的广泛应用及关键参数计算方法。
如果不再使用固定的时钟来初始化导通时间,而是通过检测电路有效地“感知”MOSFET(VDS)漏源电压的第一个最小值或谷值,并仅在此时刻启动MOSFET的导通时间,则由于寄生电容被充电至最低电压,导致电流尖峰将得到最大程度的减小。这种情况常被称为谷值开关(Valley Switching)或者准谐振开关。
这篇文章旨在分享关于准谐振反激原理、应用及参数计算方面的知识。
在“Q”代表“Quasi”,而“R”代表“resonant”的准谐振QR技术中,主要目的是降低MOSFET的开关损耗。这些损耗主要是由自身的输出电容造成的。
从上图可以看出,一般的开关损耗来源于:
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