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如何设计功率放大器——一篇非常好的文章(LNA)

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简介:
本文详细介绍功率放大器的设计方法与技巧,特别针对低噪声放大器(LNA)进行深入探讨,适合电子工程爱好者和技术人员阅读。 LNA-如何设计功率放大器是一篇很好的文章。

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客服
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  • ——LNA
    优质
    本文详细介绍功率放大器的设计方法与技巧,特别针对低噪声放大器(LNA)进行深入探讨,适合电子工程爱好者和技术人员阅读。 LNA-如何设计功率放大器是一篇很好的文章。
  • 撰写科学论
    优质
    撰写高质量科学论文的关键在于明确研究目的、采用严谨方法并进行深入分析。本文将指导作者如何构思结构合理、论述清晰且具有创新性的学术文章,助力科研成果的有效传播与交流。 Chris A. Macks book, How to Write a Good Scientific Paper, is an invaluable resource for students and faculty in science and engineering fields. SPIE offers this PDF eBook free of charge here. Dr. Mack emphasizes that many scientists and engineers believe they are poor writers or find the writing process challenging. However, one does not need to be naturally talented to write well; careful attention to detail suffices. Writing for a peer-reviewed scientific or engineering journal involves adhering to specific conventions and formulas for presenting research findings. This book focuses on teaching these styles and practices necessary for publishing in such journals, covering everything from structure and style guidelines to titles, tables, abstracts, author lists, and the overall process of getting a paper published.
  • 有用关于LDA
    优质
    本文深入浅出地介绍了主题模型中的经典算法——Latent Dirichlet Allocation(LDA),适合希望理解文本数据背后隐藏主题模式的研究者和实践者。 北大的李晓明老师无需多言,这个名字本身就是质量的保证。关于LDA的一篇非常棒的文章,绝对值得一读!
  • LNA低噪声
    优质
    本文探讨了LNA(低噪声放大器)的设计原理与优化技术,重点关注降低噪声系数和提高增益的方法,以实现高性能无线通信系统的信号增强。 射频前端的低噪声放大器详细的电路级设计材料非常有助于射频爱好者的学习与研究。这些资料包括Verilog代码、MOS管级别的详细内容以及版图知识,能够为设计放大器提供全面的技术支持。
  • ADS
    优质
    本源文件提供了ADS(Advanced Design System)软件中用于设计和优化功率放大器的相关资源与步骤指导,适用于射频微波工程师深入学习与实践。 本段落涉及版图与版图原理图的联合仿真。增益约为19dB,最高效率PAE大于50%,中心频率为1850MHz,并包含版图联合仿真的内容。
  • ADS2016MRF8P9040N
    优质
    这款由ADS2016设计的MRF8P9040N功率放大器是一款高性能射频组件,适用于多种无线通信应用。其卓越的技术规格和可靠的性能使其成为工程师们的首选。 学习设计功率放大器可以参考徐兴福老师的《ADS2011射频电路设计与仿真实例》。书中使用飞思卡尔的LDMOS功率管MRF8P9040N来构建放大器,但由于ADS版本更新至2016版后无法调用该型号进行仿真设计。因此提供适用于ADS 2016版本的飞思卡尔控件和MRF8P9040N模型库。通过在ADS 2016软件中解压这些文件,便可以使用MRF8P9040N模型来进行原理图的设计与仿真工作。
  • 433MHz CMOS
    优质
    本项目专注于设计一款基于433MHz频段的CMOS功率放大器,旨在优化无线通信模块性能,提高传输效率与稳定性。通过采用先进的半导体工艺和电路技术,力求实现低功耗、高增益及宽工作带宽的目标。 基于IBM 0.18um SOI CMOS工艺设计了一款工作在433 MHz的两级AB类功率放大器。驱动级和输出级均采用共源共栅结构以提高电源电压,从而提升输出功率。通过自适应偏置电路解决了共源管与共栅管之间电压分布不均匀的问题,增强了电路可靠性。输入级采用了电压-电压反馈技术来降低增益并增强稳定性。片内集成了输入匹配和级间匹配电路。后仿真结果显示该放大器的增益为33.97 dB,1 dB压缩点为28.12 dBm, 功率附加效率(PAE)为23.86%。