
关于H-ISFET温度特性和补偿的研究论文.pdf
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简介:
本文研究了H-ISFET(氢离子敏感场效应晶体管)在不同温度下的性能变化,并提出了一种有效的温度补偿方法,以提高其测量精度和稳定性。
本段落通过研究氢离子敏场效应传感器(H-ISFET)的物理化学结构特性,探讨了其温度特性,并总结出该器件极易产生温度漂移的特点。针对这一问题,我们提出了解决方案来补偿这种温度影响。
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