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NAND Flash系列之初探：Nor Flash与NAND Flash对比分析

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简介：
本文深入浅出地解析了Nor Flash和NAND Flash两种闪存技术的区别，旨在帮助读者理解其特性、应用场景及优缺点。 作者：刘洪涛，华清远见嵌入式培训中心高级讲师。 FLASH存储器又称闪存，主要有两种类型：NorFlash和NandFlash。下面我们将从多个角度来对比介绍这两种类型的闪存，在实际开发中设计者可以根据产品需求合理选择适合的闪存种类。 1. 接口对比 NorFlash采用了通用SRAM接口，可以方便地连接到CPU的地址、数据总线上，对CPU接口的要求较低。由于其芯片内执行(XIP,eXecute In Place)的特点，应用程序可以直接在flash存储器中运行，无需再将代码读入系统RAM中。例如，在uboot中，ro段可以在NorFlash上直接运行，只需把rw和zi段复制到RAM并重写即可。

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  • NAND Flash系列之初探：Nor Flash与NAND Flash对比分析
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    本文深入浅出地解析了Nor Flash和NAND Flash两种闪存技术的区别，旨在帮助读者理解其特性、应用场景及优缺点。 作者：刘洪涛，华清远见嵌入式培训中心高级讲师。 FLASH存储器又称闪存，主要有两种类型：NorFlash和NandFlash。下面我们将从多个角度来对比介绍这两种类型的闪存，在实际开发中设计者可以根据产品需求合理选择适合的闪存种类。 1. 接口对比 NorFlash采用了通用SRAM接口，可以方便地连接到CPU的地址、数据总线上，对CPU接口的要求较低。由于其芯片内执行(XIP,eXecute In Place)的特点，应用程序可以直接在flash存储器中运行，无需再将代码读入系统RAM中。例如，在uboot中，ro段可以在NorFlash上直接运行，只需把rw和zi段复制到RAM并重写即可。
     
  • DRAM、NAND Flash和NOR Flash三种存储器解析
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    本文深入解析了DRAM、NAND Flash以及NOR Flash这三种主要存储器的技术特点与应用领域，帮助读者理解它们在现代电子设备中的作用。 内存的正式名称是“存储器”，它是半导体行业中的三大支柱之一。2016年，全球半导体市场规模达到3400亿美元，其中存储器占据了768亿美元的份额。对于身边的手机、平板电脑、个人计算机（PC）和笔记本等所有电子产品而言，存储器就像钢铁之于现代工业一样至关重要，是电子行业的“原材料”。 在存储器芯片领域中，主要分为两大类：易失性和非易失性。易失性指的是断电后存储器中的信息会丢失的类型，例如动态随机存取内存（DRAM）。这类内存主要用于个人计算机和手机的内存，两者各占三成左右的比例。而非易失性的存储器则是在断电之后仍能保持数据不变，主要包括闪存芯片如NAND Flash 和 NOR Flash。其中，NOR Flash 主要用于代码存储介质中，而 NAND 则广泛应用于数据存储领域。
     
  • NAND_FLASH_MODEL_VERILOG_nand_model.zip_NAND Flash Model_Verilog NAND Flash
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    这是一个包含Verilog代码的压缩文件，用于模拟NAND闪存的行为。该模型可以用来验证和测试各种存储器系统设计。 Nand Flash的Verilog代码可用于对Nand Flash进行操作的仿真。
     
  • NAND Flash Verilog Controller
    优质
    NAND Flash Verilog Controller是一款专为NAND闪存设计的高效能控制器，采用Verilog硬件描述语言开发，旨在优化数据读取、写入和擦除操作，确保高速度与高可靠性。 NAND Flash Verilog控制器的设计与实现涉及将复杂的逻辑控制功能通过Verilog硬件描述语言进行编程，以便更好地管理和操作存储设备中的数据。这通常包括读取、写入以及擦除等基本操作的优化，以提高性能并减少错误率。在设计过程中需要考虑的因素有很多，比如时序问题和信号完整性等等。
     
  • MLC Nand Flash HY27UT084G2A
    优质
    HY27UT084G2A是一款由Micron Technology生产的MLC NAND闪存芯片，提供8GB的大容量存储解决方案，适用于多种电子设备的数据存储需求。 HY27UT084G2A Hynix MLC NandFlash 让Datasheet不再难找。
     
  • NAND Flash 数据表
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    《NAND Flash数据表》提供详细的技术参数和规格说明，包括存储容量、读写速度、耐用性指标等信息，是设计与应用开发的重要参考。 Nand Flash datasheet包括Hynix、Samsung、Numonyx B.V. 和Toshiba等厂家的Nand Flash IC芯片的技术文档。这些资料对于设计Nand Flash控制器等工作非常有帮助。
     
  • Inside NAND Flash Memory Technologies
    优质
    《Inside NAND Flash Memory Technologies》深入探讨了NAND闪存技术的工作原理、发展历程及未来趋势，是了解固态存储器技术不可多得的专业书籍。 书中详细介绍了与NAND Flash相关的内容。
     
  • NAND Flash Verilog 模型
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    NAND Flash Verilog模型是一款用于模拟和验证半导体存储器NAND Flash功能行为的硬件描述语言（Verilog）设计模型。它为开发者提供了一个精确、高效的仿真环境，有助于加速芯片级系统的开发与调试过程。 NAND Flash Verilog模型的设计与实现涉及将复杂的NAND闪存行为用Verilog硬件描述语言进行模拟。这种模型通常用于验证存储系统的性能、兼容性和可靠性。设计过程中需要考虑的因素包括但不限于读写操作的时序控制，错误校正代码（ECC）的集成以及磨损均衡算法等。 对于希望深入研究这一领域的工程师和学生来说，掌握NAND Flash的工作原理及其在Verilog中的建模方法是非常重要的。这不仅有助于理解存储设备底层的技术细节，也为开发更高效的内存管理系统提供了坚实的基础。
     
  • 东芝NAND Flash TC58NVG3D1DTG00_E070118C
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    这款东芝TC58NVG3D1DTG00_E070118C NAND Flash存储器，属于消费级应用产品，提供高容量和快速的数据传输性能，适用于多种电子设备。 东芝NAND Flash TC58NVG3D1DTG00_E070118C是一款高性能的存储芯片，适用于各种需要大容量、高速度数据处理的应用场景。该产品具有出色的可靠性和耐用性，并支持多种接口技术以满足不同的应用需求。
     
  • TMS320C6748编程NAND FLASH
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    本教程详细介绍如何使用TMS320C6748处理器进行NAND FLASH的编程操作，包括准备工作、驱动开发及烧录过程。 TMS320C6748烧写NANDFLASH的步骤方法如下： 1. 准备工作：确保已安装好相应的开发环境，并且有正确的驱动程序。 2. 连接硬件：将TMS320C6748与电脑通过适当的接口连接，如USB或以太网。同时，根据烧写工具的要求正确配置NANDFLASH的引脚和相关参数。 3. 创建镜像文件：使用编译器生成适合目标设备的二进制映像文件（通常是*.out或者*.bin格式）。 4. 配置烧写工具：打开相应的调试或编程软件，设置正确的通信接口，并加载刚才创建好的镜像文件。此外还需要设定NANDFLASH的相关参数如扇区大小、页数量等信息。 5. 烧录程序：在确认所有配置无误后开始执行烧写操作，等待一段时间直到完成（具体时间取决于设备速度和存储容量）。 6. 验证结果：通过读取或运行已安装的应用来检查是否成功地将代码加载到了NANDFLASH中。