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DDR4 SODIMM设计规范V100 20140701(DDR4协会规范)

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简介:
该文档为DDR4协会制定的SODIMM模块设计标准版本1.0,发布日期为2014年7月1日,旨在指导DDR4 SODIMM的设计与制造。 DDR4_SODIMM_Design_Specification_V100_20140701 这是关于DDR4 SODIMM的设计规范文档版本号为V100,发布日期是2014年7月1日。

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  • DDR4 SODIMMV100 20140701DDR4
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    该文档为DDR4协会制定的SODIMM模块设计标准版本1.0,发布日期为2014年7月1日,旨在指导DDR4 SODIMM的设计与制造。 DDR4_SODIMM_Design_Specification_V100_20140701 这是关于DDR4 SODIMM的设计规范文档版本号为V100,发布日期是2014年7月1日。
  • DDR4 SDRAM SODIMM
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    本设计规范详细介绍了DDR4 SDRAM SODIMM的关键参数与特性,涵盖电气、机械及测试要求,旨在确保内存模块兼容性和稳定性。 DDR4 SDRAM SODIMM设计规范是关于DDR4笔记本内存条的JEDEC标准设计规范。
  • Micron DDR4
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    《Micron DDR4协议规范》是一份详述内存技术标准的重要文档,由全球领先的半导体存储解决方案供应商美光科技编写。该规范详细描述了DDR4 SDRAM的设计、操作和互连要求,为工程师提供了一套全面的指导原则,以确保兼容性和性能优化,是开发高性能计算机系统不可或缺的技术参考。 ### Micron DDR4 协议知识点详解 #### 一、概述 Micron DDR4协议是针对Micron公司生产的DDR4动态随机存取存储器(DRAM)制定的一系列技术规范与特性描述,主要涵盖了型号为MT40A1G8和MT40A512M16的DDR4 DRAM的具体特性和参数。该文档适用于汽车电子领域的应用。 #### 二、供电电压及内部结构 - **工作电压**:VDD=VDDQ为1.2V±60mV,编程电压(VPP)范围是2.5V至3.75V。 - **参考电压生成机制**:具备片上可调的内部分压器来产生内部参考电压(VREFDQ)。 - **IO接口设计**:采用1.2伏特伪开漏输出方式,以减少信号干扰和提高稳定性。 - **刷新时间**: - 温度在-40°C到85°C之间时的刷新周期为64ms; - 温度介于85°C至95°C之间的设备需要32ms进行一次刷新操作; - 当温度位于95°C至105°C范围内,刷新时间缩短为16ms; - 在105°C到125°C的高温环境下,则进一步减少为每8ms完成一次刷新。 #### 三、存储结构 - **内部银行分配**: - 对于x8配置模式下有16个独立的内存银行,分成4组,每个小组包含四个; - x16模式则配备八个内核银行,并且按照同样的方式组织为两组每组四。 - **预取机制**:采用八倍数据位宽(8n)的预读技术来提升性能。 - **数据选通前导码支持与训练功能**:提供可编程的数据选择器和相应的学习过程以优化信号质量。 - **命令地址延迟设置**:允许用户自定义指令/地址访问时延。 #### 四、功耗管理 - **低能耗自动刷新模式(LPASR)**: 支持在极低电力消耗条件下执行自我修复操作,延长电池寿命。 - **温度控制下的动态内存刷新机制(TCR)**:根据实际工作环境的热状态调整刷新频率以优化性能和能效比。 - **精细粒度刷新策略**:通过更精确的时间间隔进行单元维护,确保数据完整性和长期稳定性。 - **中断自刷新功能**: 支持在特定操作条件下暂时停止自动刷新流程。 #### 五、数据保护及可靠性 - **输出驱动校准机制**: 调整信号强度以适应不同的传输路径需求,减少噪音干扰。 - **片上终端电阻(ODT)**:支持三种类型的端接方案——名义值、停放和动态调整,确保最佳的电气匹配效果。 - **数据总线反转功能(DBI)**: 在特定情况下翻转位序从而改善信号完整性并降低功耗消耗。 - **命令地址奇偶校验(CA Parity)检查**:增加额外的一位以检测传输过程中的错误信息。 - **写入循环冗余校验(WCRC)**: 对于数据流进行完整的检验,确保准确无误地保存到存储器中。 #### 六、测试与兼容性 - **独立DRAM寻址**: 支持每个单独的内存芯片被分别访问和控制的能力。 - **连接性验证工具**: 提供了用于检查硬件配置正确性的功能模块。 - **符合JEDEC规范**:产品遵循JESD79标准,并且支持sPPR(特殊性能与可靠性)及hPPR(高性能与高可靠)特性,这保证了产品的互操作性和兼容性。 - **内存内置自测试能力**: 特定版本的芯片具备MBIST-PPR功能以进行更深入的质量检查。 #### 七、封装选项 - **容量选择**:提供1GB x8和512M x16两种配置类型,满足不同应用需求; - **封装形式**:采用无铅78球FBGA或96球FBGA的包装方式。 - **温度范围**: - 工业级(-40°C至+95°C); - 汽车级(适用于更宽泛的工作条件,从-40℃到105℃); - 超高温级(支持极端环境下的稳定运行,在-40°C至125°C范围内保持性能和可靠性) #### 八、总结 Micron MT40A1G8/MT40A512M16系列DDR4 DRAM是专为汽车电子行业设计的高性能存储解决方案,具备卓越的数据
  • DDR4.pdf
    优质
    《DDR4规范》是一份详细介绍第四代双倍数据率同步动态随机存取存储器(DDR4 SDRAM)技术标准的文档,涵盖了其性能参数、电气特性及应用要求等内容。 大家可以参考DDR4 288pin内存封装规格书。
  • DDR4接口
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    DDR4接口规范是针对新一代内存条设计的标准协议,旨在提供更高的数据传输速率、更低的工作电压以及更强的可靠性与稳定性。 这是一份DDR4标准文档,硬件工程师可能会用到。谢谢。
  • DDR4文档
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    《DDR4规范文档》提供了关于第四代双倍数据率同步动态随机存取存储器(DDR4 SDRAM)的技术规格和设计指南,是内存制造商、系统设计师及工程师不可或缺的参考资源。 DDR4标准文档 JESD79-4___DDR4_SDRAM.pdf包含了有关DDR4 SDRAM的详细技术规范和参数。这份文件对于了解和应用DDR4内存的技术细节非常有用。
  • DDR4 JEDECPDF
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    本PDF文档详尽介绍了DDR4内存的标准规范,依据JEDEC组织制定的技术参数和设计指南,适用于技术开发与研究。 DDR4是双倍数据速率第四代同步动态随机存取内存的简称,由JEDEC固态技术协会制定的一套内存规范标准。该组织发布的官方文档包括JESD79-4B、JESD79-4A和JESD79-4C三个版本,详细阐述了DDR4的技术细节、性能指标以及兼容性要求。 相比前一代的DDR3,DDR4主要改进如下: 1. **更高的频率与带宽**:初始规格为2133 MTs(每秒传输次数),比DDR3的1600 MTs有显著提升,最高可达3200 MTs甚至更高。这提升了系统整体性能,尤其是在处理大量数据时表现更佳。 2. **更低的工作电压**:DDR4的工作电压降至1.2V,相比DDR3的1.5V或1.35V更低,降低了功耗,并有助于节能和散热。 3. **Bank Groups架构**:每个DRAM芯片可以包含多个Bank Group,增强了并发操作能力,提高了内存访问效率。 4. **增加Bank数量**:DDR4内存条的Bank数量从DDR3的8个增至16个,进一步提升了并发处理能力。 5. **On-Die Termination (ODT)**:支持片上终结(On-Die Termination),可以减少信号反射,改善数据传输质量。 6. **命令地址总线的预取位数增加**:DDR4的预取位数从8位增至16位,每个时钟周期可传输更多数据,从而提高内存带宽。 7. **错误校验支持**:DDR4内存支持更高级别的ECC(Error Correction Code)功能,提供更强的数据完整性保护,适合服务器和数据中心应用。 8. **新的引脚定义和物理尺寸**:DDR4内存模块的引脚布局及物理尺寸有所改变,以确保与DDR3互不兼容,避免安装错误。 JESD79-4B、JESD79-4A和JESD79-4C这些文档可能分别代表不同版本或修订的DDR4规范。它们涵盖了技术细节、电气规范、测试方法以及接口定义等内容。对于硬件设计师、系统架构师及内存开发者而言,深入理解这些文档非常重要,有助于设计出符合标准且性能优越的DDR4内存系统。
  • DDR4 SDRAM Unbuffered DIMM-JEDEC
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    本资料详细介绍了DDR4 SDRAM未缓冲双列直插内存模块(UDIMM)的设计与应用标准,遵循JEDEC国际标准。适合内存制造商和工程师参考学习。 DDR4 SDRAM Unbuffered DIMM设计规范是针对台式机内存条的Jedec标准设计规范。
  • DDR4 SDRAM UDIMM -4_20_26R29.pdf
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    该PDF文档详细介绍了DDR4 SDRAM UDIMM的设计规范和参数要求,适用于内存模块设计工程师和技术人员参考。 DDR4 SDRAM Unbuffered DIMM(UDIMM)是一种内存模块设计规范,由JEDEC组织发布。该标准文档是一系列标准化文件,规定了DDR4同步动态随机存取内存(SDRAM)非缓冲双内排(DIMM)模块的设计和生产要求。这些规范为制造商提供了一套共同遵循的准则,以确保内存模块具有良好的互操作性和性能。 DDR4 SDRAM UDIMM设计文档主要分为多个部分,包括产品描述、环境需求、连接器引脚布局与信号说明、电源细节、组件详情、DIMM设计规格、网络结构及布线规则等。具体而言: 1. **产品描述**:这部分详细介绍了内存模块的基本特性及其性能参数,如容量和速度等级(例如PC4-1600, PC4-2666)。 2. **环境要求**:该部分规定了不同环境下DDR4 SDRAM UDIMM的运行条件与可靠性需求,包括温度、湿度及静电放电保护等信息。 3. **连接器引脚布局和信号描述**:文档中详细列出了UDIMM模块所有引脚的功能及其配置情况,并提供了288针接口的具体图示说明。 4. **电源细节**:这部分介绍了DDR4 SDRAM的电压需求(如1.2V VDD)、启动顺序规则、馈通电压及需要额外提供的12V供电等信息。 5. **组件详情**:该部分指定了推荐使用的元件类型及其布局,同时提供了去耦合指导原则和具体放置要求。 6. **DIMM设计细节**:这部分涵盖了信号组的详细说明、网络结构解释以及布线规则。此外还包含了高速模式下的特殊规定(如2666Mbps或以上数据传输速率的要求)、地址映射方式及物理布局限制等信息,例如过孔大小和封装尺寸。 7. **阻抗目标**:定义了内存模块在运行时应达到的阻抗标准以确保信号完整性。 8. **SPD-TSE布线与位置说明**:这部分解释了串行存在检测(SPD)芯片的具体布局要求以及温度传感器扩展功能的支持方法。 9. **CRC支持下的DQ映射规则**:描述如何将数据质量映射到循环冗余校验方案中,以提高内存模块的可靠性和性能。 10. **产品标签格式与信息**:提供了DDR4 DIMM产品的标准标签设计和所需包含的信息内容,区分了纯DRAM版本与其他混合类型的不同要求。 11. **JEDEC流程概述**:最后简要介绍了制定这些标准化文档的过程以及获取并应用相关规范的方法。
  • DDR4 JedecV4 (SPD)
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    该文档是关于DDR4 JEDEC标准第四个版本(包含SPD信息)的技术规格书,详述了内存模组的设计与操作参数。 DDR4 SPD Jedec规范 V4标准规范文件对编写DDR4内存SPD非常有帮助。