
0.18um工艺下的VLSI数字电路全加器设计
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简介:
本研究探讨了在0.18微米工艺条件下高性能全加器的设计与优化,旨在提升VLSI数字电路中的运算速度和效率。
全加器是算术运算电路中的基本单元,并且也是构成多位加法器的基础组件,在这种情况下,它的重要性不言而喻。因此,设计一个高效的全加器显得尤为重要。通常有两种方法来构建全加器:使用两个半加器或采用镜像结构。本段落主要探讨的是基于0.18CMOS工艺的镜像结构的一位全加器的设计过程,包括电路图、版图以及前端网表仿真和后端版图验证的结果。
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