MIL-HDBK-217F-Notice-2.pdf
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简介：
《MIL-HDBK-217F-Notice-2》是一份美国国防部维护手册，提供电子元器件可靠性的预测数据和模型，用于设计评估及质量控制。
MIL-HDBK-217F-Notice 1 是关于电子设备可靠性预测的军事手册的一个修订版，主要关注微电路的故障率预测模型。这个版本修正了基本 F 版本中的少量印刷错误，并基于最近完成的研究提供了新的预测模型。
1. 新增故障率预测模型：
- 手册引入九类微电路的新模型：单片双极型数字和线性门逻辑阵列设备、单片MOS数字和线性门逻辑阵列设备、单片双极型和 MOS 数字微处理器（包括控制器）、单片双极型和 MOS 存储器设备，GaAs 单芯片数字器件，GaAs 微波集成电路 (MMIC) 设备，混合微电路、磁泡存储器及表面声波装置。
- 这些模型适用于门数高达 60,000 的双极性和MOS微电路；3,000 晶体管的线性微电路；支持最多 1 百万位容量的内存设备；GaAs MMICs 中多达 1,000 的有源元件和 GaAS 数字 IC，晶体管数量可达 10,000。
2. 技术改进：
- C 因子进行了大量修订以反映新技术设备的可靠性提升。MOS 设备及存储器激活能量（IT）代表温度敏感性的变化。
- Ca因子保持不变但包括引脚网格阵列和表面贴装封装，采用与密封、焊封双列直插式封装相同的模型。
- 新增质量因子(o)、学习因子(i)以及环境因素(aE)的数值。
- 混合微电路模型简化，并删除了温度依赖性密封及互连故障率贡献部分。提供了计算芯片结温的方法。
3. 手册格式改进：
- 整个手册重新排版，方便用户使用和阅读。
4. 环境因素减少：
- 环境因素(F)的数量从27个减至14个，简化了分析过程。
5. 其他修订内容包括：网络电阻器的新故障率模型；基于电子工业协会微波管部门提供的数据对TWTs（磁控管）和Klystrons的模型进行了更新。
此版替代MIL-HDBK-217E, Notice 1，为设计者及制造商提供电子设备在不同环境条件下的可靠性评估指导。
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