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基于CMOS的高线性度模拟乘法器设计及仿真

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简介:
本研究聚焦于开发一种高性能的CMOS模拟乘法器,通过优化电路结构和参数设置,显著提高了器件的线性度,并进行了详尽的仿真验证。 设计并仿真了一种具有高线性度的CMOS模拟乘法器。该乘法器采用有源衰减器对输入信号进行预处理,并使用CMOS Gilbert乘法单元执行信号的乘法运算,同时配备了偏置电路。在±1.8 V电源电压下以及输入范围为±0.6 V的情况下,通过优化器件参数使输出幅度保持在小于±25 mV的同时确保了良好的线性度。该乘法器-3 dB带宽达到181 MHz,并展现出优良的倍频特性。此外,还对温度变化下的性能进行了仿真分析,讨论了线性度与输出幅度之间的关系,并优化设计了乘法器版图,在较宽输入范围内实现了比参考文献中更高的线性度表现。

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  • CMOS线仿
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    本研究聚焦于开发一种高性能的CMOS模拟乘法器,通过优化电路结构和参数设置,显著提高了器件的线性度,并进行了详尽的仿真验证。 设计并仿真了一种具有高线性度的CMOS模拟乘法器。该乘法器采用有源衰减器对输入信号进行预处理,并使用CMOS Gilbert乘法单元执行信号的乘法运算,同时配备了偏置电路。在±1.8 V电源电压下以及输入范围为±0.6 V的情况下,通过优化器件参数使输出幅度保持在小于±25 mV的同时确保了良好的线性度。该乘法器-3 dB带宽达到181 MHz,并展现出优良的倍频特性。此外,还对温度变化下的性能进行了仿真分析,讨论了线性度与输出幅度之间的关系,并优化设计了乘法器版图,在较宽输入范围内实现了比参考文献中更高的线性度表现。
  • RFID1V 2.4G CMOS线混频
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    本研究针对基于RFID的1V 2.4GHz系统,设计了一种高性能CMOS混频器,实现了低功耗和高线性度的优化平衡。 本段落介绍了一种低电压且高线性度的CMOS射频混频器设计方法,在LC折叠式共源共栅结构的基础上通过并联一个弱反向区工作的辅助MOS管来提升其性能。采用TSMC0.18μm RF CMOS工艺仿真结果表明,此改进方案在不显著影响增益、功耗及噪声等主要参数的前提下,使三阶交调点(IIP3)提高了6dB。 随着无线通信技术的发展,如无绳电话、手机和无线局域网设备已经成为人们生活中不可或缺的一部分。射频收发机中的核心组件之一就是混频器,其性能直接决定了整个系统的效能。为了满足现代通讯设备向高性能、低电压消耗及小型化发展的需求,研究开发出具备低功耗与高线性度特性的混频器已成为当前的重要课题。
  • ADS仿线CMOS混频研究论文
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    本文深入研究了在ADS仿真环境下高线性度CMOS混频器的设计方法,探讨并优化了电路结构与参数设置以提高混频器性能。 本段落提出了一种提高混频器线性度的方法:采用交叉差分结构取代原有的混频器结构。改进后,输出信号的三次谐波被消除,混频器的三阶截止点也得到改善。该电路的工作电压为1.8伏特,射频信号频率为5吉赫兹,并使用0.18微米CMOS工艺制造。采用Agilent公司的先进设计系统ADS对电路进行了仿真设计。仿真结果显示,在改进后,混频器的IP3提高了3.5分贝(线性度提高),转换增益提升了4.8分贝。
  • 2.5GHz线瓦级CMOS功率放大
    优质
    本研究专注于设计一款高性能的2.5GHz CMOS功率放大器,具备优异的线性度和高达瓦级别的输出功率,适用于现代无线通信系统。 设计了一款工作频率为2.5 GHz、最高输出功率可达31.8 dBm的CMOS功率放大器(PA)。该PA由两级全差分电路结构组成。为了实现超过1 W的输出功率,第二级放大电路包含两个完全相同的子放大器,并通过高效的片上功率合成器将这两个子放大器的输出电压相加。
  • MC1496SPICE仿
    优质
    本文介绍了针对MC1496芯片开发的精确SPICE仿真模型,详细探讨了其在模拟乘法器中的应用及性能验证。 MC1496模拟乘法器的SPICE仿真模型描述了该器件在电路仿真软件中的数学建模方法,用于分析其在不同条件下的性能表现。
  • 2.45GHz 0.18μm CMOS线功率放大
    优质
    本研究专注于在0.18微米CMOS工艺下设计一款高效能的2.45GHz线性功率放大器,旨在优化无线通信中的信号传输性能。 为了在更高的电源电压下运行并简化匹配网络的设计,电路采用了两级共源共栅架构。通过自偏置技术放宽了功放的热载流子退化限制,并减小了使用厚栅晶体管所带来的较差射频性能的影响。同时利用带隙基准生成一个稳定且独立于工艺和温度变化的直流基准。 该功率放大器采用SMIC 0.18 μm RF CMOS工艺设计,中心工作频率为2.45 GHz,并通过Cadence公司的spectreRF进行仿真。仿真结果显示,在3.3 V的工作电压下,最大输出功率达到30.68 dBm;在1 dB压缩点处的输出功率为28.21 dBm;功率附加效率PAE为30.26%。所设计版图面积为1.5 mm×1 mm。
  • Multisim仿MC1496信号.rar
    优质
    本资源提供了一种关于MC1496信号乘法器的设计方法,通过Multisim仿真软件进行电路模拟与测试,详细记录了实验步骤、参数设置及分析结果。 根据网上的电路图自己画的,如有任何问题,请联系我。
  • CMOS全集成LDO线稳压
    优质
    本研究专注于开发一种新型全集成低 dropout (LDO) 线性稳压器,采用互补金属氧化物半导体(CMOS)技术,旨在提供高效稳定的电压调节解决方案。 设计了一种基于0.25 μm CMOS工艺的低功耗片内全集成型LDO线性稳压电路。该电路采用电阻电容反馈网络在输出端引入零点,以补偿误差放大器的极点,避免了需要大容量外部电容或复杂补偿电路的情况。这种方法使电路结构简单、占用芯片面积小,并且无需使用片外电容。Spectre仿真结果显示,在工作电压为2.5 V的情况下,该LDO在较宽频率范围内具有约78 dB的电源抑制比;当负载电流从1 mA变化至满载状态(即100 mA)时,相位裕度大于40°;同时,LDO和带隙基准源的总静态电流为390 μA。