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Virtuoso与Calibre在版图绘制、DRC、LVS及XRC中的应用

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简介：
本文章探讨了Virtuoso和Calibre工具在电路设计流程中的关键作用，包括版图创建、设计规则检查(DRC)、布局与电路一致性验证(LVS)，以及寄生参数提取(XRC)，为集成电路开发提供技术指导。 Virtuoso与calibre在画版图以及进行DRC、LVS和XRC方面的教程很不错，值得收藏。

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  • Virtuoso与Calibre在版图绘制、DRC、LVS及XRC中的应用
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    本文章探讨了Virtuoso和Calibre工具在电路设计流程中的关键作用，包括版图创建、设计规则检查(DRC)、布局与电路一致性验证(LVS)，以及寄生参数提取(XRC)，为集成电路开发提供技术指导。 Virtuoso与calibre在画版图以及进行DRC、LVS和XRC方面的教程很不错，值得收藏。
     
  • Calibre DRC与LVS验证总结资料
    优质
    本资料深入探讨了Calibre工具在集成电路设计中的DRC（设计规则检查）和LVS（版图 versus schematics）验证应用，提供详细的案例分析和技术总结。 本段落介绍了Calibre这一后端物理验证工具的基本概念与特点。作为Mentor Graphics公司出品的工具，Calibre提供了最有效的DRC/LVS/ERC解决方案，并特别适合用于超大规模IC电路的物理验证。它支持平坦化和层次化的验证方式，从而大大缩短了验证过程的时间。此外，由于其高效可靠的性能已被各大晶圆厂认证，因此在Tape Out之前的验证阶段已经成为标准工具。本段落还提供了Calibre DRC和LVS验证总结材料，为读者提供更多学习资料。
     
  • Calibre DRC和LVS验证总结（参考版）.pdf
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    本PDF文档详细总结了Calibre DRC（设计规则检查）与LVS（版图 vs. 原理图）验证流程和技术要点，旨在帮助工程师提升集成电路设计质量。 CalibreDRC和LVS验证总结.pdf包含了对使用Calibre工具进行设计规则检查（DRC）和电路图与布局一致性验证（LVS）的详细分析和技术要点。文档中提供了相关技术背景、操作步骤以及常见问题解决方法，旨在帮助工程师更好地理解和应用这些关键的设计验证流程。
     
  • Calibre XRC的使用方法及常用命令（中文版）
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    本教程详细介绍了Calibre XRC工具的使用方法和常见操作命令，旨在帮助用户快速掌握XRC功能并提高工作效率。适合电子设计自动化领域从业人员参考学习。 本段落介绍了寄生参数的概念以及如何使用Calibre XRC工具来提取这些参数的方法，并详细解释了多种常用命令。文中内容均为中文版表述。
     
  • Virtuoso, Calibre, CMOS RF工艺PDK
    优质
    本资源包包含针对Virtuoso平台设计的Calibre验证工具以及适用于CMOS RF工艺的PDK，为集成电路的设计与优化提供全面支持。 本模拟IC设计软件平台基于vmware虚拟机环境构建，该虚拟机配备Linux操作系统、Cadence IC5141仿真设计软件以及Calibre版图验证工具，并集成了CMOS RF工艺PDK。在下载过程中可能会遇到CRC校验错误的问题，因此压缩文件包中包含了恢复记录功能。如果出现此类问题，请使用WinRAR的修复压缩文件选项尝试进行修复后再解压。请注意将压缩包解压至一个剩余磁盘空间大于40GB的分区中。
     
  • Calibre运行DRC前的设置问题及更换DRC文件注意事项
    优质
    本文章主要介绍在使用Calibre进行设计规则检查（DRC）之前的相关配置和设置，并提供一些关于如何安全替换DRC文件的重要建议。 本段落主要介绍在导入新工艺库并需要更换DRC文件时遇到的问题及解决方案。通过具体的例子来解释如何解决路径设置错误、参数设置错误等问题。 问题1：报错“problem with access, file type, or file open of this include file:” 问题2：报错“undefined layer name parameter: at_conn（或者其它参数）” 问题3：无法使用DRC工具
     
  • Calibre XRC寄生参数提取与后仿真分析
    优质
    本教程详细介绍了使用Calibre XRC工具进行寄生参数提取及后仿真分析的方法和技巧，适用于芯片设计工程师深入掌握验证技术。 Calibre XRC寄生参数的提取及后仿真方法，以及在Virtuoso ADE中的直接后仿真实现流程。
     
  • 反相器布局及DRC、LVS仿真分析1
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    本课程详细讲解了反相器电路的设计与布局方法，并通过DRC（设计规则检查）和LVS（版图与电路一致性验证）等技术，进行深入的仿真分析。适合电子工程专业的学生和技术人员学习。 本段落将介绍如何在集成电路设计过程中使用反相器的版图设计，并详细讲解进行设计规则检查（DRC）和电路与版图一致性验证（LVS）的具体步骤。 1. **进入版图编辑环境**： - 使用MobaXterm创建一个新的session，输入远程主机地址。 - 登录服务器后，建立VNC端口连接并启动相应的设计工具。具体操作是登录到服务器，并通过VNC客户端连接至该服务器的指定端口（例如10.20.20.46:n），然后使用密码进行验证。 - 在成功连接之后，在图形界面中打开 Virtuoso 软件，选择 Tools -> Library Manager 并创建一个新的库 Tuotorial-layout，并将其附加到现有的技术库。 2. **绘制反相器版图**： - 从tsmcN65库中添加pmos（pch）和nmos（nch）实例，保持适当的间距。 - 使用快捷键R在poly层上创建多晶硅区域，并确保边界对齐。 - 在M1层绘制矩形以连接至MOSFET的漏区，并引出输出端。 - 绘制输入和输出端口于mos源区附近，注意保持与电路图一致性的边界对齐。 - 添加接触点（via）并确保金属框正确放置，使输入信号能够通过多晶硅层到达MOSFET的栅极。 3. **衬底连接**： - 对pmos器件，在其衬底上连接到vdd电压，并保持与M1金属层对齐。 - 同样地，对于nmos器件，则将其衬底连接至gnd电位，确保也符合M1层的布局要求。 4. **DRC仿真**： - 使用Calibre软件运行设计规则检查（DRC），初次执行时选择取消并手动指定正确的规则文件路径。 - 定义输入输出参数后启动仿真过程以确认版图是否遵循所有工艺规范和标准，从而避免潜在制造问题。 5. **LVS仿真**： - 在进行电路与版图一致性验证（LVS）前，请确保拥有一个结构上完全匹配的原理图，并且更改mos为pch和nch标识符。 - 启动Calibre LVS工具并指定适当的规则文件路径，以保证检查结果准确无误。 - 设置输入输出参数后运行仿真程序来验证版图与电路设计的一致性。 DRC和LVS是集成电路开发流程中的关键步骤。它们不仅可以确保所有设计遵循工艺规范，还能发现潜在的制造问题，并且保证最终产品的功能正确性和可靠性。对于初学者而言，掌握这些操作至关重要，因为这是IC设计过程的重要组成部分。
     
  • Cadence两级放大电路版图，已通过LVS和DRC检查
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    该文档展示了一个经过验证的Cadence两级放大电路版图设计，已成功完成布局与布线(LVS)及设计规则检查(DRC)，确保了电路的高度可靠性和有效性。 Cadence 两级放大电路的版图已经通过了LVS和DRC检查。