
改进型两级CMOS运算放大器电源抑制比技术 (2010年)
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简介:
本文介绍了改进型两级CMOS运算放大器的电源抑制比技术,通过优化电路设计显著提升了放大器在电源电压波动情况下的性能稳定性。
本段落基于对传统两级CMOS运算放大器低电源抑制比(PSRR)原因的解释,提出了一种简单电路技术来提升此类运放中的频段内PSRR性能。该方法的核心在于通过调整偏置结构引入一个新的信号路径,在输出端产生一个与电源变化相对应的补偿增益,从而在输出端实现接近零的电源纹波增益效果,进而增强运算放大器的整体PSRR特性。
利用0.35 μm标准CMOS工艺库,并在Cadence环境下进行仿真测试后发现:改进后的运放相比传统设计,在中频范围内的PSRR性能提高了超过20 dB。
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