
简述MOS管的高端与低端驱动技术
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简介:
本文介绍了MOS管高端和低端驱动技术的基本概念、工作原理及其在电路设计中的应用特点。适合电子工程爱好者和技术人员参考学习。
在低端驱动电路中,MOS管与负载的关系是D端通过负载连接到电源,S端直接接地。对于NMOS管来说,只有当栅源电压(Vgs)大于开启电压时才会导通,在未达到这一条件前,S点的电位不确定。一旦Vgs超过开启阈值使DS之间导通后,S点将被固定为地电位,并且此时仍然能够保持Vgs高于开启电压以维持电路的连通状态。
而在PMOS管的情况下,则需要栅源电压(Vgs)低于某个特定值才能实现导通。同样,在未达到这一条件前,S端处于一个不确定的状态;一旦使Vgs小于开启阈值让其导通后,虽然S点会下降至地电位以确保DS间连通性,但这样就无法继续保证栅源电压满足低于开启电压的初始要求了。
对于高端驱动电路配置下,MOS管相对于负载位于高电势端,则D端直接连接电源而S端通过负载接地。在NMOS的情况下,只有当Vgs大于开启阈值时才允许导通电流流过。
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