
关于手机DDR控制芯片中延迟锁相环的设计研究.pdf
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简介:
本文探讨了在手机DDR控制芯片中的延迟锁相环设计,分析其关键技术及挑战,并提出优化方案以提升系统性能和稳定性。
本段落设计了一种采用0.18um CMOS工艺、工作电压为1.8V的延迟锁相环(Delay lock loop,DLL),应用于手机DDR控制芯片的控制器端。
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简介:
本文探讨了在手机DDR控制芯片中的延迟锁相环设计,分析其关键技术及挑战,并提出优化方案以提升系统性能和稳定性。
本段落设计了一种采用0.18um CMOS工艺、工作电压为1.8V的延迟锁相环(Delay lock loop,DLL),应用于手机DDR控制芯片的控制器端。


