复旦大学模拟电路二级运放设计教程（模拟IC）

简介：
本教程为复旦大学制作的模拟集成电路设计课程资源，专注于二级运算放大器的设计与分析。适合电子工程专业的高年级学生及研究人员参考学习。 从理论到晶体管级的推导非常详细。（1）电路分析：包括电路结构、描述、静态特性、频率特性和相位补偿；（2）设计指标及其概念分析，涵盖共模输入范围、输出动态范围、单位增益带宽 (GBW) 和系统失调电压等参数；（3）MOS 工作区域和过驱动电压的影响以及约束条件的分析；（4）SPICE仿真与Cadence仿真的应用。设计中包含两个工艺参数 μp 和 COX，同时有四个设计参数 CC、W1、L1 和 VGST1 可供选择。GBW 与管子沟道宽度和过驱动电压成正比，并且与 CC 和 L 成反比关系。为了提升 GBW，可以增大M1和M2的过驱动电压或减小其长度，然而这会与提高增益的要求产生矛盾并且可能影响噪声性能。因此，在设计过程中需要根据具体应用及指标进行权衡。 在实际电路实现中存在两个主要问题：首先，负载电容的变化使得零点和第二极点难以精确抵消；其次，由于第二级的极点依赖于负载电容器件特性，在未知或变化的情况下很难使它们相互补偿。