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不同波长下光电探测器的响应度曲线

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简介:
本研究探讨了光电探测器在不同波长下的响应度变化,并绘制了相应的响应度曲线,以分析其性能特征。 在15W疝灯背入射下测得的光谱响应曲线如图1所示,峰值响应波长为286nm,适用于太阳盲区工作。图中六条不同曲线分别表示0V、-1V、-2V、-3V、-4V和-5V偏压下的响应度,在无偏压下响应度为14.8mA/W,外量子效率为6.4%;在-5V的偏压下,响应度可达55mA/W,此时外量子效率与内量子效率分别为22.5%和28.1%。 由于AlxGa1-xN中Mg激活能随铝组分变化,在图1所示的情况下,铝含量越高,镁的激活能量越大。因此,在高铝组分(如p-Al0.4Ga0.6N层)中的离化受主浓度较低,导致该层电阻增加,大电阻不利于提高工作速度。 为了解决这一问题,需要采取措施以降低此材料在高Al含量下的电阻值,并提升其工作效率。

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  • 线
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    本研究探讨了光电探测器在不同波长下的响应度变化,并绘制了相应的响应度曲线,以分析其性能特征。 在15W疝灯背入射下测得的光谱响应曲线如图1所示,峰值响应波长为286nm,适用于太阳盲区工作。图中六条不同曲线分别表示0V、-1V、-2V、-3V、-4V和-5V偏压下的响应度,在无偏压下响应度为14.8mA/W,外量子效率为6.4%;在-5V的偏压下,响应度可达55mA/W,此时外量子效率与内量子效率分别为22.5%和28.1%。 由于AlxGa1-xN中Mg激活能随铝组分变化,在图1所示的情况下,铝含量越高,镁的激活能量越大。因此,在高铝组分(如p-Al0.4Ga0.6N层)中的离化受主浓度较低,导致该层电阻增加,大电阻不利于提高工作速度。 为了解决这一问题,需要采取措施以降低此材料在高Al含量下的电阻值,并提升其工作效率。
  • 频率
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