PDF资料Tip122

简介：
PDF资料Tip122提供了关于如何高效管理和利用PDF文件的技巧和建议，帮助用户提升工作效率。 ### TIP120、TIP121与TIP122：大功率达林顿晶体管解析 #### 概述 TIP120、TIP121以及TIP122是一系列高性能的大功率NPN型达林顿晶体管，封装于Jedec TO-220塑料外壳中。这些器件广泛应用于高电流和电压条件下的线性与开关应用场合，并且它们是单片的硅基NPN功率晶体管设计。对应的互补P沟道类型为TIP125、TIP126及TIP127。 #### 绝对最大额定值 绝对最大额定值定义了这些达林顿晶体管在不造成损坏的情况下可以承受的最大电气和热参数： - 集电极与基极间电压（VCBO）分别为60V、80V以及100V。 - 集电极与发射极间的击穿电压（VCEO）同样为60V、80V及100V。 - 发射机和基极端子之间的反向偏置电压（VEBO）是5伏特。 - 持续集电极电流（IC）最大值达到5安培，峰值可达8安培的瞬态集电极电流（ICM）。 - 基极驱动电流的最大值为0.1A。 - 总耗散功率在Tcase≤25°C时为65W，在Tamb≤25°C的情况下降低至2W。存储温度范围从-65℃到+150℃，最大结温（Tj）是150℃。 PNP类型的晶体管参数数值与上述NPN类型相反，即电压和电流值均为负数表示。 #### 热性能 - 结点至壳体的热阻为最高1.92°C/W。 - 从结点到环境的最大热阻为62.5°C/W。 #### 电气特性 在Tcase=25℃条件下，除非另有说明，以下数据适用于TIP120/125、TIP121/126和TIP122/127： - 在不同电压下集电极截止电流（ICEO）不超过0.5mA。 - 高于特定电压时的基极与发射机间击穿电流（ICBO）不超过0.2mA。 - 发射结反向偏置下的漏电流（IEBO），在VEB=5V条件下，小于或等于2mA。 - 在不同条件下的集电极到发射级保持电压（VCEO(sus)）分别不低于60V、80V和100V；饱和压降（VCE(sat)），基于特定的电流值不超过2伏特及4伏特，基射偏置开启电压在IC=3A,VCE=3V时约为2.5V。 - 直流增益(hFE)在不同条件下均不低于1000。 #### 封装尺寸 TIP系列晶体管的TO-220封装具有以下典型最小及最大值： - A：4.4mm至4.6mm - C：1.23mm至1.32mm - D：2.4mm至2.72mm - D1: 1.27 mm (0.050 inches) - E: 0.49 mm 至 0.70 mm - F: 0.61 mm 至 0.88 mm ### 结论 TIP122作为这一系列中的一个成员，其设计满足了高电流和电压应用的需求，并适用于多种场合如功率放大器及电源转换设备等。通过理解这些晶体管的绝对最大额定值、热性能以及电气特性，工程师能够正确地选择并使用它们以确保电路的安全性与可靠性。