该代码展示了神经元中兴奋性和抑制性突触后电位的现象。

简介：
该软件由波士顿大学 CNS 技术实验室 (http://techlab.bu.edu/) 的 Bret Fortenberry 开发。它呈现了突触后细胞中 EPSP 和 IPSP 特性的模型，并赋予用户调整 EPSP 和 IPSP 输入数量、上升和下降时间，以及对突触后细胞的加权效应的权限。该模型能够清晰地展示 EPSP 和 IPSP 的电流，以及由此产生的突触后细胞尖峰输出。 兴奋性突触后电位 (EPSP) 指的是由于配体敏感通道的开放而导致带正电荷的离子流入突触后细胞，从而引起突触后膜的短暂去极化。 这种电位通常会在连接到树突的兴奋性突触前细胞产生动作电位时被接收。 EPSP 信号随后沿着树突向下传递，并与轴突小丘处的其他神经元输入进行整合，最终提升神经元膜电位的强度。 当膜电位达到特定的阈值时，细胞会生成动作电位，并将相关信息向下向轴突传递，从而实现与突触后细胞之间的有效沟通。值得注意的是，EPSP 的强度会受到与体细胞距离的影响而发生变化，并且信号在树突上会逐渐衰减。