IC后端_纳米工艺VLSI物理设计与实现.pdf

简介：
本书深入探讨了基于纳米技术的集成电路（IC）后端物理设计原理和实践方法，特别聚焦于非常大规模集成电路(VLSI)的设计与实现。适合电子工程领域的专业人士及研究生参考学习。 本段落介绍了IC设计后端纳米工艺VLSI物理设计与实现流程，涵盖了Cadence Genus综合技术、物理设计及其实现过程以及从RTL到GDSII的全流程。主要内容包括库文件（时序库和物理库）、RTL文件、时序约束文件、综合步骤、平面布局规划（芯片大小设定、IO口安排、电源配置方案制定、宏单元处理策略等），摆放布线流程，其中包括实验性布线与特殊布线，并进行真实布线。此外还包含预时钟树和后时钟树的合成过程，以及随后的时序分析和修正工作。 文中进一步探讨了电源分析的重要性及其操作方式，信号完整性分析的相关细节、金属填充步骤及物理验证流程等技术环节。最后介绍了代工厂Tapeout（流片）阶段的关键点和技术要求。