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常微分方程(王高雄第三版)电子课件

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简介:
《常微分方程》(王高雄第三版)电子课件是基于高等教育出版社出版的经典教材制作的教学辅助材料,适用于数学及相关专业学生的课程学习与复习。 《常微分方程(第3版)/十二五普通高等教育本科国家级规划教材》是原中山大学数学力学系常微分方程组编写的《常微分方程》1978年初版及l983年第二版后的修订版本。考虑到近二十年科学技术的发展,本书在保持原有结构和易学易教特点的基础上,在不增加教学时数且内容可选的前提下,适当增加了应用实例、非线性理论以及计算机技术的应用等内容,包括分支现象、混沌理论、哈密顿方程及数值解法等;同时附录中还介绍了数学软件在常微分方程中的使用方法。此外,本书还在绪论部分简要概述了常微分方程的发展历程及其在数学学科中的重要地位,并提供了习题答案和参考文献供读者查阅。

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    《常微分方程》(王高雄第三版)电子课件是基于高等教育出版社出版的经典教材制作的教学辅助材料,适用于数学及相关专业学生的课程学习与复习。 《常微分方程(第3版)/十二五普通高等教育本科国家级规划教材》是原中山大学数学力学系常微分方程组编写的《常微分方程》1978年初版及l983年第二版后的修订版本。考虑到近二十年科学技术的发展,本书在保持原有结构和易学易教特点的基础上,在不增加教学时数且内容可选的前提下,适当增加了应用实例、非线性理论以及计算机技术的应用等内容,包括分支现象、混沌理论、哈密顿方程及数值解法等;同时附录中还介绍了数学软件在常微分方程中的使用方法。此外,本书还在绪论部分简要概述了常微分方程的发展历程及其在数学学科中的重要地位,并提供了习题答案和参考文献供读者查阅。
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    《常微分方程》(王高雄第三版)的答案PDF提供了该教材课后习题的详细解答,帮助学生加深理解与掌握常微分方程的基本理论和解题技巧。 常微分方程王高雄第三版答案的pdf版本方便查看。
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    本书提供了《常微分方程》(作者: 王高雄) 第三版教材中所有课后习题的答案解析,适合学习该课程的学生和教师参考使用。 该书是《常微分方程》第三版(作者王后雄)的课后习题答案集,涵盖了主要章节的答案。
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    本书为《常微分方程》(作者王高雄)配套的学习辅助资料,提供了书中的全部习题详细解答,帮助读者更好地理解和掌握常微分方程的相关知识与解题技巧。 答案中详细给出了书中大部分习题的解题过程和答案,适用于考试复习和自学常微分方程。
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    本书为《常微分方程》(作者王高雄)一书的配套习题解答手册,详细解析了教材中的各类练习题,适合高等院校数学及相关专业学生使用。 解微分方程 =2xy,并满足初始条件x=0, y=1的特解。 两边积分得:ln|y|=x^2 + c 注意这里应该是对原式进行正确处理,即: \[ \frac{dy}{dx} = 2xy \Rightarrow \frac{1}{y} dy = 2x dx \] 两边同时积分得到: \[ \int \frac{1}{y} dy = \int 2x dx \] 因此有: \[ ln|y| = x^2 + C \] 根据初始条件x=0, y=1,代入上述方程求解C的值。将x和y的初始值带入得: \[ ln(1) = 0^2 + C \Rightarrow C = 0 \] 所以特解为: \[ ln|y| = x^2 \] 即最终结果是: \[ y=e^{x^2} \]
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    本书为《常微分方程》(作者:王高雄)一书的配套习题解答,详细解析了书中各章节练习题,帮助学生深入理解课程内容。 《常微分方程》习题解答(王高雄版)
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    本书为《常微分方程》课程中部分习题的详细解答,由王高雄教授编写。旨在帮助学生深化理解与掌握解题技巧,适合数学及相关专业本科生参考使用。 常微分方程是一门数学类的基础课程,而王高雄版《常微分方程》中的部分习题解答为学习该课程的同学提供了解题的见解与思路。
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    本书为《高频电子电路(第三版)》教材的配套学习资料,提供详细解答与解析,帮助学生深入理解高频电子电路相关知识和解题技巧。 《高频电子电路》王卫东第三版课后习题解答.pdf
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    《常微分方程(第3版)》是一本全面介绍一阶和高阶常微分方程理论与解法的经典教材,涵盖线性系统、稳定性分析及非线性问题等内容。 常微分方程第三版王高雄 高等教育出版社 全部章节答案
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    《微电子器件》第三版课后答案提供了对教材内容的深入解析与习题解答,帮助学生更好地理解和掌握微电子学的基本原理和应用技术。 微电子器件是电子工程领域的一项关键技术,它涵盖了基本物理原理与制造工艺方面的知识。文档内容深入探讨了PN结、高斯定理的应用以及耗尽区的相关概念,并详细解答了一些习题。其中涉及的知识点包括载流子密度、扩散电流和漂移电流的计算方法;半导体材料的能带结构及其本征载流子浓度;内建电势与击穿电压的关系,还有介电常数等参数。 文档特别强调了高斯定理在PN结中的应用。根据该理论,在N区耗尽区内可以推导出关于电场强度随位置变化的具体公式。通常情况下,PN结中最大的电场出现在耗尽层边界附近,并且其强度会随着距离中心点的变化而呈现非线性特点。 文档还涉及到了内建电压Vbi的计算方法,这是一种在没有外部施加电压的情况下由载流子浓度差异引起的自然电势差。它的大小与材料本身的特性(如本征载流子浓度和掺杂水平)密切相关,并且反映了半导体内部电子-空穴平衡的状态。 准确地计算电场强度对于理解和设计微电子器件来说至关重要,例如突变结的最大电场表达式就体现了其材料特性和内建电压之间的相互作用。这种关系直接影响到设备的电流-电压特性以及击穿电压等关键性能指标。 此外,文档还讨论了载流子浓度(包括自由电子和空穴)在决定半导体导电性方面的作用,并指出本征载流子浓度ni取决于温度及材料种类;而在掺杂情况下,则主要由掺杂水平与环境温度共同影响。另外,禁带宽度Eg是区分不同类型半导体特性的关键参数之一。 介电常数ε作为衡量半导体材料内部分布情况的一个重要物理量,在描述其电容性质方面扮演着核心角色,并直接影响到器件的阻断性能和容量效应等特性表现形式。 文档还详细介绍了耗尽层宽度(即耗尽区范围)如何根据掺杂浓度及内建电压来确定,这对于理解PN结在反向偏置条件下的行为特征非常关键。这一参数对于设计二极管、晶体管及其他微电子器件的尺寸具有重要意义。 综上所述,文档内容涵盖了众多关于微电子器件的核心知识点,对从事相关领域工作的专业人士来说是理解和应用此类技术不可或缺的基础知识储备。