Advertisement

一个关键参数——跨导gm:场效应管的工作原理

  •  5星
  •     浏览量: 0
  •     大小:None
  •      文件类型:None


简介:
本文章介绍了场效应管的关键参数之一——跨导gm,并深入探讨了其在器件工作原理中的重要作用。通过分析gm值的变化,读者可以更好地理解场效应管的性能和应用。 一个重要的参数是跨导gm:其定义为 gm=ΔiD/ΔuGS| uDS=const(单位mS)。gm的大小反映了栅源电压对漏极电流控制作用的程度。在转移特性曲线上,gm表示曲线的斜率;同样,在输出特性曲线上也可以求得gm值。

全部评论 (0)

还没有任何评论哟~
客服
客服
  • ——gm
    优质
    本文章介绍了场效应管的关键参数之一——跨导gm,并深入探讨了其在器件工作原理中的重要作用。通过分析gm值的变化,读者可以更好地理解场效应管的性能和应用。 一个重要的参数是跨导gm:其定义为 gm=ΔiD/ΔuGS| uDS=const(单位mS)。gm的大小反映了栅源电压对漏极电流控制作用的程度。在转移特性曲线上,gm表示曲线的斜率;同样,在输出特性曲线上也可以求得gm值。
  • .doc
    优质
    本文档探讨了场效应管(FET)作为电子开关的工作机制,包括其基本结构、操作模式以及如何利用电压控制电流流动的特点。适合电路设计与分析初学者阅读。 本电路利用微动开关和场效应管制作一个电源开关电路,采用非自锁式的开关设计使电源控制更加高档,告别传统的自锁式开关。
  • 三极详解
    优质
    本文详细解析了三极管的基本工作原理及其核心性能参数,旨在帮助读者深入了解半导体器件的应用和设计要点。 三极管(全称:半导体三极管,也称为双极型晶体管或晶体三极管)是一种控制电流的半导体器件。其主要作用是将微弱信号放大成幅度较大的电信号,并且可以作为无触点开关使用。下面介绍三极管的工作原理以及它的主要参数。
  • 结型(JFET)在元器件用中
    优质
    本文章探讨了结型场效应管(JFET)的关键技术参数,并分析了这些参数如何影响其在各种电子元器件及电路设计中的性能和可靠性。 1. 夹断电压VP 当vDS保持为一个固定值(例如10V)时,在漏极电流iD达到一个小数值如50mA的情况下,栅-源之间的电压即称为夹断电压。 2. 饱和漏极电流IDSS 在栅-源间电压vGS等于零的条件下,当场效应管出现预夹断现象时对应的漏极电流被定义为饱和漏极电流IDSS。这是结型场效管所能输出的最大电流值。 3. 直流输入电阻RGS 该参数表示的是,在将漏-源端短路的情况下,栅-源两端施加一定电压之后测得的直流电阻大小。 4. 低频跨导gm 当vDS保持不变时,如果改变栅-源极之间的电压(vGS)导致了漏极电流iD出现微小变化,则该变化量与vGS的变化量之比即为跨导。此参数反映了栅-源电压对漏极电流控制能力的大小,并且是衡量场效应管放大性能的重要指标之一。
  • 浅谈(六):——其实就是电控开
    优质
    本文为《浅谈原理》系列文章第六篇,探讨了场效应管的工作机制,将其比喻为“电控开关”,帮助读者理解这一电子元件的基本概念和应用。 文章向大家介绍了场效应管。
  • GM测量课程设计
    优质
    本课程设计旨在通过实验探讨和分析场效应晶体管(FET)的gm值测量方法及其影响因素,增强学生对半导体器件特性的理解和应用能力。 在本课程设计中,我们将深入探讨“场效应管低频跨导”的概念及其测量方法。作为半导体器件的一种,场效应管广泛应用于电子线路中,特别是用作电流控制元件。低频跨导(gm)是衡量场效应管输入特性的一个关键参数,它反映了栅极电压变化对漏极电流的影响程度。 我们要理解场效应管的工作原理。场效应管分为两种主要类型:结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(MOSFET)。它们都是通过改变栅极与源极之间的电场来控制源极与漏极之间的电流。在低频跨导的讨论中,我们通常关注MOSFET,因为其在线性特性方面更适合于低频应用。 低频跨导(gm)定义为当栅极电压变化1伏特时,漏极电流的变化量。这个参数对于理解和设计放大器电路至关重要,因为它直接影响到电路的增益和输入阻抗。在实际操作中,测量gm通常涉及搭建一个简单的测试电路,包括场效应管、电源、电压表和电流表。 课程设计要求学生学习如何构建这样的测试电路,并使用示波器和信号源将可变电压施加于栅极。通过监测漏极电流的变化,可以计算出低频跨导。此外,提供的文档包含详细的步骤指导及理论解释,帮助学生理解实验过程及其背后的物理原理。 电路图会展示如何正确连接各个组件,包括场效应管的栅极、源极和漏极以及电压和电流测量点的位置。同时,Word文档不仅提供了必要的理论知识,还包括数据记录表格、计算公式以及对实验结果进行分析与讨论的内容。学生应按照指示修改个人信息后打印出来,在实验室中作为参考。 此课程设计旨在培养学生的实践技能,并加深他们对于场效应管特性的理解。此外,它还有助于提升问题解决能力和撰写实验报告的能力。通过这个项目,学生们不仅能掌握低频跨导的测量技术,还能体验电子工程中的基本设计流程,为未来的学习和职业生涯奠定坚实的基础。
  • 详解.doc
    优质
    本文档深入解析了场效应管的各项关键参数,包括但不限于阈值电压、漏极电流和跨导等,旨在帮助读者全面理解并有效应用这些器件。 根据三极管的原理开发出的新一代放大元件具有三个极性:栅极、漏极和源极。其特点是栅极内阻极高,采用二氧化硅材料制造的产品可以达到几百兆欧姆,属于电压控制型器件。
  • MOSVgs注意事项
    优质
    本文将探讨MOS场效应管(V-MOSFET)中栅源电压(Vgs)参数的重要性及其使用时需注意的问题,帮助读者正确理解和应用该参数。 本段落主要介绍了关于MOS场效应管Vgs参数的注意事项。
  • IRF640及封装信息
    优质
    简介:本文档提供关于IRF640场效应管的技术规格与封装详情,涵盖其电气特性、热性能和物理尺寸等关键信息。 请提供关于场效应管IRF640的资料,包括电压参数、电流参数、外形尺寸以及各类封装尺寸,并附上电路应用图等相关内容。
  • 绝缘栅与三极特性曲线对比及分析
    优质
    本文深入探讨了绝缘栅场效应管和三极管在电气性能上的差异,通过详细比较它们的特性曲线和参数,旨在帮助读者更好地理解和应用场效应管。 绝缘栅场效应管包括N沟道耗尽型和P沟道耗尽型。