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关于薄硅膜金属-绝缘层-半导体结构电容-电压特性的研究论文.pdf

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简介：
本文探讨了在薄硅膜MIS（金属-绝缘层-半导体）结构中的电容-电压特性，并分析了其物理机制和应用前景。 随着新纳米CMOS器件技术的不断涌现，在比例缩小原则限制下硅膜厚度逐渐减薄，这给通过电容-电压法进行物理参数提取带来了挑战。本段落利用半导体二维仿真工具MEDICI，研究了不同硅膜厚度下的金属-绝缘层-半导体结构在低频和高频条件下的电容-电压特性，并探讨了其内在的物理机理。同时，在考虑金属与半导体功函数差、绝缘层固定电荷等因素的影响下，分析该结构的电容-电压特性，为通过电容-电压法对薄硅膜MIS结构进行参数提取和表征提供了有益探索。

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  • 关于薄硅膜金属-绝缘层-半导体结构电容-电压特性的研究论文.pdf
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