
适用于射频SOC芯片的低噪声高电源抑制比LDO.pdf
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简介:
本文介绍了设计用于射频SoC芯片的低噪声、高电源抑制比(LDO)稳压器的技术和方法。通过优化电路结构与参数,该LDO能够在宽电压范围内提供稳定的输出,并有效降低电磁干扰对RF性能的影响。适合无线通信设备中的应用需求。
这篇文档讨论了用于射频SOC芯片的低噪声高电源抑制比LDO的设计与应用。
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简介:
本文介绍了设计用于射频SoC芯片的低噪声、高电源抑制比(LDO)稳压器的技术和方法。通过优化电路结构与参数,该LDO能够在宽电压范围内提供稳定的输出,并有效降低电磁干扰对RF性能的影响。适合无线通信设备中的应用需求。
这篇文档讨论了用于射频SOC芯片的低噪声高电源抑制比LDO的设计与应用。


