Advertisement

SOT23封装的定义及参数详解

  •  5星
  •     浏览量: 0
  •     大小:None
  •      文件类型：None

简介：
本文章详细介绍SOT23封装的定义、结构和电气参数，帮助读者全面了解该封装类型的特点及其应用。 SOT23封装是一种小型表面贴装技术（SMT）封装形式，常用于集成电路的制造。它的尺寸非常小，适合在空间受限的应用中使用。这种封装通常包含三个到八个引脚，具体取决于所应用的器件类型。 对于参数而言，主要关注点包括但不限于： 1. 封装尺寸：长度、宽度和高度。 2. 引脚间距与布局：确保焊接时不会发生短路或错位。 3. 温度系数和热阻抗：影响元件在不同温度下的性能稳定性。 4. 最大电流承载能力：根据不同的应用需求确定。 这些参数决定了SOT23封装的应用范围以及其可靠性和效能。

全部评论 (0)

还没有任何评论哟~
客服
客服
客服关闭
  • SOT23封装的定义及参数详解
    优质
    本文章详细介绍SOT23封装的定义、结构和电气参数，帮助读者全面了解该封装类型的特点及其应用。 SOT23封装是一种小型表面贴装技术（SMT）封装形式，常用于集成电路的制造。它的尺寸非常小，适合在空间受限的应用中使用。这种封装通常包含三个到八个引脚，具体取决于所应用的器件类型。 对于参数而言，主要关注点包括但不限于： 1. 封装尺寸：长度、宽度和高度。 2. 引脚间距与布局：确保焊接时不会发生短路或错位。 3. 温度系数和热阻抗：影响元件在不同温度下的性能稳定性。 4. 最大电流承载能力：根据不同的应用需求确定。 这些参数决定了SOT23封装的应用范围以及其可靠性和效能。
     
  • S参数的定义详解
    优质
    本文详细解释了S参数的概念、性质及其在射频工程中的应用，帮助读者深入理解其定义与计算方法。 S参数定义了S11、S22、S21等各个参数，并解释了它们的计算方法。
     
  • SOT23 库封装.zip
    优质
    SOT23库封装包含各种电气元件采用SOT23封装形式的模型和设计资源，适用于电路板设计与仿真。 SOT23 的库封装.zip
     
  • 四、SOT封装的定义及其与TO封装的区别-IC常见封装详解
    优质
    本章节详细解析了半导体行业中的SOT（小外形晶体管）封装技术，并对比介绍了传统的TO（金属壳）封装方式，旨在帮助读者全面理解集成电路常见的两种封装类型。 SOT封装与TO封装的区别： 1. SOT（Small Outline Transistor）是一种晶体管的小外形封装类型。 2. 尽管两者有时在形式上相似且区分不严格，但它们具有以下主要区别： - TO封装通常只在一端有引脚，另一端为散热端子，并且其引脚数量一般不超过两个； - SOT封装则是在两侧都有引脚，而且引脚的数量通常不少于三个（大多数情况下是3、4或5个），但具体数目可以达到7以下。 需要注意的是，虽然上述描述提供了基本的区别点，但由于不同公司可能有不同的标准和实践方式，这些区别并非绝对。
     
  • USB 2.0接口定义与封装详解
    优质
    本文详细解析了USB 2.0接口的定义、工作原理及电气特性，并介绍了其物理封装设计，帮助读者全面了解USB 2.0技术。 USB全称Universal Serial Bus（通用串行总线），目前的USB 2.0接口分为四种类型：A型、B型、Mini型以及后来补充的Micro型接口。每种类型的接口都有插头和插座两个部分，其中Micro还有一种特殊的AB兼容型。本段落将简要介绍这四类插头和插座的具体实物及结构尺寸图。 在进行设计时，请参考官方最新的修订说明，尽管USB 3.0具有卓越性能，但由于其规范变化较大，在实际应用中还需一段时间才能普及。无论如何，USB已经对火线技术构成威胁，苹果公司对此感到非常困扰但又无能为力。 需要注意的是： 1、本段落中的封装尺寸信息来源于2000年10月20日发布的《USB 2.0 Specification Engineering Change Notice》文档。 2、文中所用图片均来自官方协议文件。由于USB 3.0接口和线缆规范变化较大，后续将单独介绍。 此外，请注意本段落未包含插头封装尺寸信息，如需查看A型插头的详细规格，请参阅《ecn1-usb20-miniB-revd.pdf》文档。在下一个版本即USB 3.0中，接口及封装都有了较大的变化；因此本内容仅适用于USB 2.0协议标准。对于使用USB 3.0设备的情况，只有A型插头可以插入到2.0插座（Receptacle）中。
     
  • 十一、CSP封装的定义及其与BGA封装的不同之处-IC常见封装详解
    优质
    本章节详细解析了CSP（芯片规模封装）的基本概念，并对比分析了其与BGA（球栅阵列封装）在结构、应用及性能上的差异，为读者提供全面了解集成电路常用封装技术的指南。 CSP（Chip Scale Package）封装是芯片级封装技术的一种最新形式，在内存芯片领域具有重要的应用价值。它使芯片面积与封装面积的比例达到1:1.14以上，接近理想比例，并且其绝对尺寸仅为32平方毫米，约为普通BGA的三分之一以及TSOP内存芯片的六分之一。相比BGA封装而言，在相同空间内CSP可以将存储容量提高三倍。 在外观上，CSP和BGA的区别并不明显，主要区别在于它们之间的尺寸大小不同。
     
  • SOT23-3、SOT23-5、SOT23-6、SOT89、SOT223、SOT669 PCB封装库（含AD库及3D视图）...
    优质
    本资源提供多种SOT系列PCB封装，包括SOT23-3/5/6、SOT89、SOT223和SOT669的Altium Designer库文件与3D模型视图。 SOT23-3, SOT23-5, SOT23-6, SOT89, SOT223 和 SOT669 的 PCB 封装库（AD 库，包含 3D 视图）。
     
  • 九、QFP与QFN封装的定义和分类-IC常用封装详解
    优质
    本章节详细解析了QFP（四方扁平封装）与QFN（四方扁平无引脚封装）两种集成电路常用的封装技术，包括它们的不同类型及其应用范围。适合电子工程师参考学习。 九（1）QFP与QFN封装的含义及分类 **QFP** 四周均有引脚，呈方形布局，且引脚为L型设计。通常情况下，这种封装方式包含超过100个引脚。 **封装类别** - **Plastic Quad Flat Package (PQFP)**：方型四面引线扁平式封装 - **fine-pitch quad flat package (FQFP)**：细间距QFP - **low-mount quad flat pack (LQFP)**：低架体QFP或薄型QFP - **quad flat pack(age) with heat sink (HQFP)**：带散热器的QFP - **metric quad flat pack(age) (MQFP)**：公制标准QFP - **Very Plastic Quad Flat Package (VQFP)**：微型QFP - **thin quad flat package (TQFP)**：薄型QFP - **Guard-ring Quad Flat Package (GQFP)**：带保护环的QFP **Quad Flat Non-Leaded Package (QFN)** 无引线方形扁平封装，具有独特的结构设计。 **quad flat package with bumpe (BQFP)** 四角带有缓冲垫的QFP。
     
  • N-Channel SOT23 MOSFET晶体管SMG2336N-VB参数及应用详解
    优质
    本文详细介绍N沟道SOT23封装MOSFET晶体管SMG2336N-VB的技术参数，并探讨其在各类电子设备中的具体应用。 ### SMG2336N-VB：N-Channel沟道SOT23 MOSFET晶体管参数介绍与应用说明 #### 概述 SMG2336N-VB是一款采用SOT23封装的N-Channel沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该器件具有最大工作电压为30V、最大连续电流为6.5A以及在栅极至源极电压10V时导通电阻RDS(ON)仅为30mΩ的特点。此外，其阈值电压范围为1.2V到2.2V。 #### 主要特性 - **无卤素设计**：根据IEC 61249-2-21标准定义，SMG2336N-VB是一款环保型器件。 - **TrenchFET®技术**：采用先进的TrenchFET技术，有效降低了导通电阻RDS(ON)，提高了整体效率。 - **Rg测试**：所有产品均经过100%的栅极电阻（Rg）测试，确保了产品的可靠性和一致性。 - **RoHS合规**：符合欧盟RoHS指令200295EC的要求，适合各种环保要求的应用场合。 #### 应用领域 - **DC/DC转换器**：适用于各类电源转换系统，如笔记本电脑适配器、服务器电源模块等。 #### 产品概述 - **VDS（最大漏源电压）**：30V - **RDS(on)（漏源导通电阻）**： - 10V栅极至源极电压下为0.030Ω - 4.5V栅极至源极电压下为0.033Ω - **ID（最大连续漏级电流）**：6.5A - **Qg（总栅电荷）**：典型值为4.5nC #### 封装与外形尺寸 - **封装类型**：SOT23 - **外形尺寸**：TO-236（SOT-23） #### 绝对最大额定值 绝对最大额定值指定了器件可以承受的极端条件。超出这些额定值可能会导致永久性损坏或性能下降。 - **漏源电压VDS**：30V - **栅源电压VGS**：±20V - **连续漏级电流ID**（结温TJ = 150°C）： - 环境温度TC = 25°C时为6.5A - 温度TC = 70°C时为6.0A - 外部环境TA = 25°C时为5.3A - 外部环境TA = 70°C时为5.0A - **脉冲漏极电流IDM**：25A - **连续源至漏级电流IS**（TC = 25°C）：1.4A - **最大功耗PD**（TC = 25°C）：1.7W #### 热阻抗 - **结温到环境温度热阻RthJA**： - 最大值为115°C/W - 典型值为90°C/W - **结温到脚部（漏极）热阻RthJF**： - 最大值为75°C/W - 典型值为60°C/W #### 规格参数（TJ = 25℃，除非另有说明） - **静态参数** - **漏源击穿电压VDS**：测试条件 VGS = 0V, ID = 250µA时最小值为30V - **阈值电压温度系数ΔVG**：测试条件 VGS = 0V, ID = 250µA，未给出具体数值 #### 使用注意事项 - 超过“绝对最大额定值”的应力可能会导致器件永久损坏。这些额定值仅用于表示极限条件，并不意味着在超出操作规范部分所指定的任何其他条件下也能正常工作。 - 长时间暴露于绝对最大额定值下可能会影响器件可靠性。 SMG2336N-VB是一款高性能、环保型N沟道MOSFET，适用于各种DC/DC转换器等电源管理应用。通过其低导通电阻、宽电压范围以及高可靠性的设计，能够满足现代电子设备对于高效紧凑且环保的电源解决方案的需求。
     
  • DS18B20封装及管脚定义
    优质
    本简介详细介绍了DS18B20数字温度传感器的物理封装类型及其各引脚的功能与定义，便于用户进行电路设计和应用开发。 本段落主要介绍了DS18B20的封装和管脚定义，希望对你学习有所帮助。