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常用的三极管

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简介:
常用三极管是一种半导体器件,广泛应用于电子电路中以放大或开关电流。它具有三个电极——发射极、基极和集电极,通过控制基极电流实现对集电极与发射极间电流的调节。 常用三极管在电子电路设计中广泛应用。

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    常用三极管是一种半导体器件,广泛应用于电子电路中以放大或开关电流。它具有三个电极——发射极、基极和集电极,通过控制基极电流实现对集电极与发射极间电流的调节。 常用三极管在电子电路设计中广泛应用。
  • 小功率晶体晶体二手册与大功率手册合集.rar
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    本资源包含《小功率晶体三极管及常用晶体二极管手册》和《大功率三极管手册》,适合电子工程师和技术人员参考,提供详尽的器件参数与应用指导。 常用的各种二极管、三极管以及大功率三极管的电气参数。
  • 于Multisim 10.1模型(9012至9015、8050)
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    本资源提供适用于Multisim 10.1软件的几种常用三极管SPICE模型文件,包括9012、9013、9014、9015及8050型号,便于电路仿真与设计。 在Multisim 11.0中,依次点击“tools”->“database”->“database manager”,然后选择“compoennts”选项卡下的user database并导入下载的模型文件即可自动安装。
  • BSP75N
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    BSP75N是一款高性能N沟道增强型MOSFET场效应晶体管,具备低导通电阻和高电流承载能力,适用于各种电源管理和开关应用。 三极管BSP75N具有强大的保护功能和稳定的性能等优点。
  • 功能
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    三极管是一种半导体器件,能够放大电流信号或用作开关。它在电子电路中扮演着关键角色,是构建各种复杂电路的基础元件之一。 晶体三极管是电子技术中的基础元件之一,在各类电路设计中扮演着核心角色。它主要的功能在于电流放大,并且在大规模集成电路的设计与制造过程中占据极其重要的地位。 从结构上来看,晶体三极管由PNP或NPN两种类型组成。这两种类型的共同特点是通过半导体材料上的两个紧密相邻的PN结来划分基区、发射区和集电区。具体来说,在PNP型中,空穴从发射区向基区移动;而在NPN型中,则是电子从发射区注入到基区内。 三极管的工作模式包括共射极(CE)、共基极(CB)以及共集电极(CC)。其中,以共射极为例,在这种配置下,信号通过基极输入,并在集电极端输出。此时的电流放大效果最为显著:即使是很小的变化也能引起较大的电流变化。 三极管不仅用于放大功能,它还能作为开关使用或用来构建振荡器和稳压电路。例如,在开关模式中,通过对基极电流进行控制来实现对集电极电流通断的有效管理;而在振荡应用方面,则可以利用其特性产生特定频率的电信号。 此外,在实际操作过程中需要注意的是,三极管的工作性能会受到诸如温度变化等外部条件的影响。因此在电路设计时必须考虑这些因素以确保设备能够稳定运行于预期范围内。 总之,晶体三极管因其独特的电流放大功能而在现代电子技术中具有不可替代的作用,并且随着科技的进步还将继续扩展其应用范围至更多领域如微电子、通信及计算机等产业之中。
  • 在使和MOS作为开关时,通如何选择?
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    本文章探讨了在电路设计中使用三极管与MOS管作为开关元件时的选择依据,包括两者的工作原理、性能特点及适用场景。 在选择电子元器件时需要考虑其电气参数,并为它们预留足够的余量以确保长期稳定的工作性能。这里简单介绍三极管和MOS管的选型方法。 首先,三极管是一种电流控制型设备,而MOS管是电压控制型设备。尽管两者有所不同,在选型过程中都需要关注耐压、电流等参数。 1. 根据耐压进行选择 对于三极管而言,集电极和发射极之间的最大可承受电压为V(BR)CEO。在使用时如果超过这个数值,可能会导致器件损坏。例如9013型号的三极管其VCEO值为25伏特,这意味着CE之间的工作电压不能超过此限制。 同样地,在选择MOS管的时候也需要考虑漏极和源极之间的最大工作电压DS两端的电压也不能超出规定的范围。通常情况下,MOS管具有更高的耐压能力相较于同类型的三极管而言。
  • 、场效应、稳压及晶体ATLUM原理图库与PCB封装库.zip
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    本资源包含常用电子元件如二极管、三极管、场效应管和稳压管等的ATLUM原理图库及其PCB封装库,助力电路设计。 常用二极管、三极管、场效应管、稳压管及晶体管ATLIUM原理图库和PCB封装库可作为学习设计参考。具体文件包括: - 4xTVS.SchLib - 78稳压块.SCHLIB - Axial Lead Diode.PcbLib - Bridge Rectifier.PcbLib - bridge.PcbLib - CASE-A.Case-B-C-D-E.PcbLib (多个CASE系列) - Chip Diode - 2 Contacts.PcbLib - Cylinder with Flat Index.PcbLib - D-PACK.DPAK_L-M-N.PcbLib (多个DPAK系列) - DO-214AA.AB.AC.PcbLib (DO系列) - ESD保护库.SCHLIB - LM2575LM.LM317-337封装.LM317.PcbLib - MELF - Diode.PcbLib - PMOS.SchLib - SCR单向可控硅.SchLib - SOT - 3 Flat Leads.143.223.23 - 5 and 6 Leads.23.PcbLib (多个SOT系列) - TO-220.T.PCBLIBTO-92.PCBLIBTRIAC双向可控硅.SchLib - TVS_824014.SchLib - 二极管整流桥三极管场效应管及可控硅相关库文件 以上资源可用于电子电路设计时参考。
  • 光敏电路
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    本简介探讨了光敏三极管在电子设备中的应用,特别关注其典型应用电路设计,包括光电控制、自动感应等领域。 光敏三极管是一种特殊的半导体器件,能够将光能转化为电信号,在光控、光检测以及光通信等领域有着广泛的应用。本段落旨在详细讲解其基本应用电路,并通过不同类型的实例来阐述工作原理及特点。 首先来看两种基础的输出电路:发射极输出和集电极输出。在发射极输出中(见图4-12(a)),负载连接于光敏三极管的发射端,信号与输入同相位,适用于脉冲光检测;而集电极输出则将负载置于集电极端,信号反向,适合处理入射脉冲光线。这两种电路在高温环境下暗电流较大,并可能影响到信号质量。 接下来是暗电流补偿型电路(见图4-12(c))。该设计通过基极连接晶体管实现温度补偿,提升热稳定性并减少暗电流的影响,适用于模拟光信号的测量。温度补偿可通过分压器结构调整基极电流来抵消暗电流效果。 当光敏三极管与普通晶体管组合应用时,则能进一步扩展其功能。例如,在达林顿结构电路(见图4-13)中,发射级输出形式可以驱动小型继电器;而集电极输出则提供更大的电压但信号相位相反;倒置的光电达林顿电路利用反向连接晶体管来提升放大效果,适用于微弱光信号检测。不过此类设计需注意响应速度和暗电流问题,在低速光开关中尤为适用。 与集成电路(IC)结合使用时,性能显著提高。例如,通过施密特触发器可提供强大的抗干扰能力;而运算放大器配合则能构建线性光敏传感器或增强发射极电压的放大效果,实现灵活增益控制和优良响应特性。 为了提升光敏三极管的速度与负载处理能力,常需外接晶体管(见图4-15(a)和(b))。这可降低外部变化对器件的影响,并提高系统稳定性。 实际应用中,例如在光控开关电路设计上(见图4-16),通过控制后级晶体管的导通状态来实现脉冲信号操作或直流电机驱动。当光照充足时,电机开始运转。 综上所述,根据具体需求选择合适的光敏三极管应用方式可以优化性能并满足各种应用场景的需求。
  • 电阻选择
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    本文探讨了在电子电路设计中选择合适三极管基极电阻的重要性及其影响因素,提供了选择原则和实用建议。 本段落主要介绍了如何选择三极管的基极电阻,并将详细讲解这一过程。让我们一起来学习一下吧。