MOS管驱动电阻与开关功率MOS管
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简介：
本文探讨了MOS管驱动电阻的选择及其对开关型功率MOS管性能的影响，分析了优化电路设计的方法。
为了提高MOS管的开关速度，驱动电阻Rg不宜过大。其值可通过以下公式计算：
\[ R_g = t_r \times 2.2C_{iss} \]
或
\[ R_g = t_f \times 2.2C_{iss} \]
其中：
- \( R_g \)：驱动阻抗，单位为Ω；
- \( C_{iss} \)：MOS管的输入电容，单位为法拉(F)；
- \( t_r \) 和 \( t_f \) 分别代表 MOS 管的上升时间和下降时间，单位为秒(s);
- 驱动电流脉冲值：
\[ I_g = C_{iss} \times (dV/dt) \]
其中，
\( dV/dt \) 为驱动源的电压变化率。
当栅极与源极之间的电压消失时，MOS管会关闭，并且漏极与源极之间呈现高阻抗状态以阻止电流通过。参考IRF640的数据手册可以获得更多详细信息。
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