Advertisement

反向偏置电压对光电探测器能见度测量不确定度的影响

  •  5星
  •     浏览量: 0
  •     大小:None
  •      文件类型:PDF


简介:
本文探讨了反向偏置电压变化对于光电探测器能见度测量结果不确定性的影响机制与量化分析,旨在提高相关技术的应用精度。 为了研究光电探测器反向偏置电压对能见度测量的影响,我们使用稳定的脉冲光束进行检测,并改变光电探测器的反向偏置电压。通过精密示波器观察光电探测器输出信号的波形并读取响应时间,同时用真有效值电压表测量相应波形的有效值。实验结果表明,反向偏置电压的变化会导致光电探测器响应时间变化,进而影响其输出信号的有效值,从而给能见度测量带来不确定性。因此,在选择和使用光电探测器时需要考虑反向偏压的影响,并确保其稳定性以减少误差。

全部评论 (0)

还没有任何评论哟~
客服
客服
  • 优质
    本文探讨了反向偏置电压变化对于光电探测器能见度测量结果不确定性的影响机制与量化分析,旨在提高相关技术的应用精度。 为了研究光电探测器反向偏置电压对能见度测量的影响,我们使用稳定的脉冲光束进行检测,并改变光电探测器的反向偏置电压。通过精密示波器观察光电探测器输出信号的波形并读取响应时间,同时用真有效值电压表测量相应波形的有效值。实验结果表明,反向偏置电压的变化会导致光电探测器响应时间变化,进而影响其输出信号的有效值,从而给能见度测量带来不确定性。因此,在选择和使用光电探测器时需要考虑反向偏压的影响,并确保其稳定性以减少误差。
  • 同波长下曲线
    优质
    本研究探讨了光电探测器在不同波长下的响应度变化,并绘制了相应的响应度曲线,以分析其性能特征。 在15W疝灯背入射下测得的光谱响应曲线如图1所示,峰值响应波长为286nm,适用于太阳盲区工作。图中六条不同曲线分别表示0V、-1V、-2V、-3V、-4V和-5V偏压下的响应度,在无偏压下响应度为14.8mA/W,外量子效率为6.4%;在-5V的偏压下,响应度可达55mA/W,此时外量子效率与内量子效率分别为22.5%和28.1%。 由于AlxGa1-xN中Mg激活能随铝组分变化,在图1所示的情况下,铝含量越高,镁的激活能量越大。因此,在高铝组分(如p-Al0.4Ga0.6N层)中的离化受主浓度较低,导致该层电阻增加,大电阻不利于提高工作速度。 为了解决这一问题,需要采取措施以降低此材料在高Al含量下的电阻值,并提升其工作效率。
  • 课件:标准与扩展
    优质
    本课件详细解析了标准不确定度与扩展不确定度的概念、计算方法及应用,旨在帮助学习者掌握测量结果评估中的不确定性分析。 标准不确定度与扩展不确定度都是用来确定测量结果区间的量,并合理赋予被测值在指定概率内的分布范围。 虽然已有标准不确定度(用σ表示),但通常情况下,它所对应的置信水平还不够高,在正态分布的情况下仅为68.27%。因此,引入了另一种方式来表达测量的不确定性——扩展不确定度。这种不确定性通过标准偏差的倍数kσ来计算,并统一使用大写拉丁字母U表示。 在实际应用中,为了得到具有更高置信水平区间的半宽度值,我们采用包含因子k与合成标准不确定度uc(y)相乘的方法:即扩展不确定度Up=kpuc(y),其中kp代表对应于特定置信水准的倍数。这样能够更准确地描述测量结果可能存在的误差范围。
  • 基站位位精
    优质
    本文探讨了基站位置偏差如何影响无线网络中的定位精度,分析其成因及具体表现,并提出改善措施。 研究基站位置误差对定位精度的影响主要涉及基站的几何分布以及基站位置变化如何影响整体定位性能。
  • 技术中工艺参数件模拟
    优质
    本研究探讨了在光电技术领域内,不同工艺参数对光电探测器性能的影响,并通过器件建模与仿真分析,为优化设计提供理论依据。 图1展示了TSMC 0.35μm CMOS工艺参数下光电探测器的器件模拟结果。其中,图1(a)显示了工作二极管在不同光照条件下的响应电流与外加反压的关系曲线。这三条曲线分别代表无光照、光强为1W/cm²和25W/cm²时的情况,且光波长固定为0.85μm。当以20×20 μm²的二极管面积计算输入光功率分别为4 pW(-23 dBm)和100 pW(-10 dBm),图中可以看出在无光照条件下响应电流接近暗电流,约为10^-15A的数量级。当光照强度为1 W/cm²时产生的光电流大约是0.16 μA,对应的响应度为0.04 A/W;而光强增加到25W/cm²时,光电流增至约4.8 pA,此时的响应度上升至0.048 A/W。后者能够满足特定需求。
  • 生长温与缓冲层方案InP基InGaAs变质InGaAs
    优质
    本研究探讨了生长温度及不同缓冲层设计方案对InP衬底上InGaAs变质InGaAs光电探测器性能的影响,旨在优化器件制造工艺。 生长温度和缓冲方案对基于InP的InGaAs变质InGaAs光电探测器性能的影响。
  • 表达指南
    优质
    《测量不确定度的表达指南》旨在为科研和工程技术人员提供一套清晰、实用的方法,用于评估和表述测量结果中的不确定性。本书深入浅出地解释了如何准确计算并呈现测量值的可信范围,是理解和应用测量不确定度理论的宝贵资源。 不确定度表达指南是关于国家不确定度相关标准的指导文件,并提供了计算不确定度的方法。
  • 频率
    优质
    本研究探讨了光电探测器在不同频率下的响应特性,分析其性能参数与应用场景,为光电子器件的设计提供理论依据。 光电探测器在正常工作状态下能够检测到的入射光信号调制频率是有限度的;当输入光信号的调制频率超过其响应范围时,该设备将无法准确地捕捉这些信号。频率响应反映了光电探测器对于叠加于载波上的电调制信号的能力,并且体现了它的频带特性。 在半导体型光电探测器中,影响其反应速度的因素主要包括: (1)耗尽区内的电子穿越时间:当此区域的电场达到饱和状态时,载流子将以漂移速率移动。设定该耗尽层宽度为特定值; (2)其他因素也会影响响应速度,但未详细列出。
  • 计算:一个用于评估函数-MATLAB开发
    优质
    本项目提供了一个MATLAB工具,用于计算和评估测量过程中的不确定度。通过该工具,用户能够准确地分析并理解数据测量时可能存在的误差范围,提高实验结果的可靠性和可重复性。 假设我们有函数 z(x, y)。该程序计算 x 和 y 中的误差如何影响 z(x, y) 的误差。定义 z 中的误差为 delta(z)=diff(z,x)*delta(x)+diff(z,y)*delta(y),其中 delta(x) 和 delta(y) 分别是 x 和 y 测量中的误差,而 diff(z,y) 是函数 z 在变量 y 下的偏导数。
  • 射式RPR220
    优质
    反射式光电探测器RPR220是一种用于检测和测量光源反射的电子元件,广泛应用于自动化设备、安全系统以及各种需要精确光感测的应用中。 智能车所需的组件包括电路图、稳压模块以及循迹传感器模块。