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半导体工艺仿真软件TSUPREM-4(23)中文指南

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简介:
《半导体工艺仿真软件TSUPREM-4中文指南》是一本详细介绍TSUPREM-4软件使用方法和技术原理的专业书籍,旨在帮助读者掌握先进的半导体器件建模与仿真技能。 TSUPREM-4是一款用于硅基集成电路及分立器件制造工艺仿真的计算机程序。它能够模拟杂质在垂直于硅晶圆表面的二维横截面上的注入与再分布情况,并提供不同材料层边界、各层中杂质浓度以及由氧化、热处理和薄膜沉积产生的应力等信息。 该工具支持多种工艺步骤,如离子注入、惰性环境下杂质扩散、各种半导体材料(包括单晶硅和多晶硅)及其化合物生成过程的模拟。此外还涵盖了外延生长及低温条件下不同材料沉积与刻蚀操作的仿真需求。TSUPREM-4中的结构定义可以覆盖多个区域,并且每个区域内可包含一种或多种具有特定杂质掺杂类型的材料。 在该工具中,用户可以选择单晶硅、多晶硅、二氧化硅等多种基础材料以及钛等金属和它们形成的化合物(如硅化物)。可用的杂质类型包括硼、磷及砷等。TSUPREM-4还能够模拟点缺陷(例如间隙原子或空位)对扩散过程的影响,并且可以计算氧化层中的再分布情况以确定相应的速率。 基本命令介绍如下: 1. 格式与变量说明: 使用{},()和[]来分隔不同类型的变量 “|”符号用于表示在这些选项中必须选择一个值 “”内的项目代表同一语句的关键字部分 2. 命令类型包括但不限于以下几类: - 文件控制命令:COMMENT、SOURCE、RETURN、INTERACTIVE、PAUSE、STOP等。 - 结构定义命令:MESH(网格)、LINE(线条绘制)、ELIMINATE(消除)、BOUNDARY(边界条件设置)等等。 - 工艺步骤相关指令:DEPOSITION(沉积)、EXPOSE(曝光处理)、ETCH(蚀刻工艺实施),以及其他如IMPLANT、DIFFUSION和EPITAXY等命令用于模拟不同制造过程中的具体操作。 - 输出报告及图形展示功能的命令,例如SELECT、PRINT.1D、PLOT.2D等指令用来生成详细的分析结果或者可视化图像文件。 - 模型设置与参数调整相关的命令:METHOD(方法选择)、MATERIAL(材料设定)等等。

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  • 仿TSUPREM-4(23)
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    《半导体工艺仿真软件TSUPREM-4中文指南》是一本详细介绍TSUPREM-4软件使用方法和技术原理的专业书籍,旨在帮助读者掌握先进的半导体器件建模与仿真技能。 TSUPREM-4是一款用于硅基集成电路及分立器件制造工艺仿真的计算机程序。它能够模拟杂质在垂直于硅晶圆表面的二维横截面上的注入与再分布情况,并提供不同材料层边界、各层中杂质浓度以及由氧化、热处理和薄膜沉积产生的应力等信息。 该工具支持多种工艺步骤,如离子注入、惰性环境下杂质扩散、各种半导体材料(包括单晶硅和多晶硅)及其化合物生成过程的模拟。此外还涵盖了外延生长及低温条件下不同材料沉积与刻蚀操作的仿真需求。TSUPREM-4中的结构定义可以覆盖多个区域,并且每个区域内可包含一种或多种具有特定杂质掺杂类型的材料。 在该工具中,用户可以选择单晶硅、多晶硅、二氧化硅等多种基础材料以及钛等金属和它们形成的化合物(如硅化物)。可用的杂质类型包括硼、磷及砷等。TSUPREM-4还能够模拟点缺陷(例如间隙原子或空位)对扩散过程的影响,并且可以计算氧化层中的再分布情况以确定相应的速率。 基本命令介绍如下: 1. 格式与变量说明: 使用{},()和[]来分隔不同类型的变量 “|”符号用于表示在这些选项中必须选择一个值 “”内的项目代表同一语句的关键字部分 2. 命令类型包括但不限于以下几类: - 文件控制命令:COMMENT、SOURCE、RETURN、INTERACTIVE、PAUSE、STOP等。 - 结构定义命令:MESH(网格)、LINE(线条绘制)、ELIMINATE(消除)、BOUNDARY(边界条件设置)等等。 - 工艺步骤相关指令:DEPOSITION(沉积)、EXPOSE(曝光处理)、ETCH(蚀刻工艺实施),以及其他如IMPLANT、DIFFUSION和EPITAXY等命令用于模拟不同制造过程中的具体操作。 - 输出报告及图形展示功能的命令,例如SELECT、PRINT.1D、PLOT.2D等指令用来生成详细的分析结果或者可视化图像文件。 - 模型设置与参数调整相关的命令:METHOD(方法选择)、MATERIAL(材料设定)等等。
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