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详细解析NAND Flash的工作机制

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简介:
本文深入浅出地解析了NAND Flash的工作原理和机制,帮助读者理解其内部结构、数据读写过程以及常见的应用技术。适合对存储设备感兴趣的技术爱好者及专业人士阅读。 本段落深入剖析了Nand Flash的工作原理,并详尽介绍了其工作方式、时序以及使用方法。

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  • NAND Flash
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    本文深入浅出地解析了NAND Flash的工作原理和机制,帮助读者理解其内部结构、数据读写过程以及常见的应用技术。适合对存储设备感兴趣的技术爱好者及专业人士阅读。 本段落深入剖析了Nand Flash的工作原理,并详尽介绍了其工作方式、时序以及使用方法。
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    《NAND Flash技术详解》全面介绍了NAND闪存的工作原理、结构特性及应用实践,帮助读者深入理解并有效运用这一关键技术。 本章介绍了基本工作原理,并阐述了SSD应用中使用的浮栅NAND非易失性存储器的主要可靠性和扩展限制。此外,还探讨了电荷捕获存储器单元作为NAND阵列中浮栅单元的潜在替代方案,并评估了未来3D存储技术中这两种存储器单元的应用前景。
  • NAND Flash 烧录文件
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    本教程详细讲解了如何为NAND Flash创建烧录文件的过程与技巧,涵盖从准备工作到最终验证的每一个步骤。 一种支持烧录器进行烧录的NAND Flash文件制作方法,其中烧录文件采用UBI格式,并且可以拆分为多个UBI卷。
  • NAND Flash厂烧录文件流程
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    本篇文章详细介绍了NAND Flash工厂中烧录文件的制作流程,包括前期准备、文件编写与测试及后期优化等环节,旨在帮助工程师更好地理解和掌握该技术。 文档介绍了使用海思自带工具制作分区镜像并生成烧录文件的步骤,这对初学者来说非常有帮助。
  • MX25 NAND Flash驱动.pdf
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    本PDF文档深入剖析了MX25系列NAND Flash的驱动程序,涵盖其工作原理、编程接口及优化技巧等内容,适用于开发者和工程师参考学习。 ### MX25 NAND Flash驱动分析 #### 概述 本段落档深入探讨了基于MX25架构的NAND Flash驱动的设计与实现。MX25 NAND Flash在嵌入式系统中广泛使用,是重要的存储介质之一。为了更好地理解其驱动的工作原理,我们将详细解析驱动的关键组成部分及其内部工作流程。 #### 关键函数分析 1. **`void (*cmdfunc)(struct mtd_info *mtd, unsigned command, int column, int page_addr);`** - **概述**:该指针定义了一个处理NAND Flash命令的函数类型。在MX25 NAND Flash驱动中,通常将此字段赋值为 `mxc_nand_command` 函数。 - **功能**:用于向NAND Flash发送指令执行读写或擦除等操作。 - **实现路径**: 1. 在`board.c`中的`start_armboot`函数调用`nand_init` 2. `nand_init` 调用 `nand_init_chip` 3. `nand_init_chip` 进一步调用 `board_nand_init` 4. 在此过程中,将该字段设置为 `mxc_nand_command` 2. **`int (*waitfunc)(struct mtd_info *mtd, struct nand_chip *this);`** - **概述**:定义了一个等待NAND Flash准备就绪的函数指针类型。在MX25 NAND Flash驱动中,该字段通常被赋值为 `nand_wait` - **功能**:发送读取状态命令并检查芯片的状态以确认是否可以继续下一步操作。 - **实现路径**: 1. 同样,在`board.c`中的`start_armboot`函数调用`nand_init` 2. `nand_init` 调用 `nand_init_chip` 3. `nand_init_chip` 进一步调用 `nand_scan` 4. 在此过程中,会执行多个步骤如调用 `board_nand_init`, 并最终在其中设置该字段为 `chip->waitfunc = nand_wait` 3. **`static inline int nand_read(nand_info_t *info, loff_t of, size_t *len, u_char *buf)`** - **概述**:实现从NAND Flash读取数据的基本操作。 - **功能**:将指定长度的数据从NAND Flash读入缓冲区 `buf` - **实现路径**: 1. 调用`info->read`函数 2. 在`nand_scan_tail`中,该字段被赋值为 `nand_read` 3. 完成数据的读取操作 4. **`static inline int nand_write(nand_info_t *info, loff_t of, size_t *len, u_char *buf)`** - **概述**:实现向NAND Flash写入数据的基本操作。 - **功能**:将缓冲区 `buf` 中的数据写入到 NAND Flash - **实现路径**: 1. 调用`info->write` 2. 在执行过程中,该字段被赋值为 `nand_write` 3. 进一步调用`chip->write_page`, 直至完成所有数据的写入 5. **`int nand_erase_opts(nand_info_t *meminfo, const nand_erase_options_t *opts)`** - **概述**:实现NAND Flash擦除操作。 - **功能**:根据指定选项对 NAND Flash 进行擦除 - **实现路径**: 1. 在 `nand_util.c` 中的函数中执行该操作 2. 调用 `meminfo->erase` 3. 在此过程中,将该字段设置为 `nand_erase` 4. 最终通过调用 `nand_erase_nand` 完成擦除 #### 总结 通过对上述关键函数的详细解析,我们可以清晰地看到MX25 NAND Flash驱动的核心逻辑及其实现方式。理解这些函数的工作原理及其调用关系有助于掌握NAND Flash驱动的设计思想,并为进一步优化和定制提供坚实基础。此外,对于初学者来说熟悉基本操作流程也有助于加深对NAND Flash存储机制的理解。
  • HY27UF081G2A NAND Flash数据手册
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    本手册深入剖析HY27UF081G2A NAND Flash芯片的各项技术参数与功能特性,旨在为工程师和开发人员提供详尽的操作指南和技术支持。 芯片参数如下:工作电压VCC为2.7V至3.3V;8位数据/地址复用总线;存储阵列配置为(2K+64)字节×64页×1024块;随机任意读取的最大时间为25微秒;顺序读取的最小时间为30纳秒;整页完整读取所需典型时间是200微秒。
  • NAND Flash
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    简介:NAND Flash控制器是专门设计用于管理和优化NAND闪存存储设备性能的关键芯片。它负责执行错误校正、磨损均衡和读/写操作等任务,以确保数据的安全性和延长存储设备寿命。 NAND Flash控制器包含三个主要模块:NAND Flash读取模块、NAND Flash写入模块和NAND Flash擦除模块。
  • JTAG原理
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    本文深入浅出地阐述了JTAG(Joint Test Action Group)技术的工作原理,包括其基本概念、测试访问端口(TAP)的状态机模型以及常见的调试和验证应用。适合硬件工程师和技术爱好者学习参考。 JTAG(联合测试行动组)是一种国际标准的测试协议(兼容IEEE 1149.1)。标准的JTAG接口由四条线组成——TMS、TCK、TDI 和 TDO,分别代表模式选择、时钟信号、数据输入和数据输出。 可以将 JTAG 视为一种基本的通信协议,类似于 RX TX 或 USB。不过,与这些其他通信方式不同的是,JTAG 是层级化的,在这种结构中,CPU 不再处于主导地位。相反,JTAG 协议用于控制 CPU 的操作;在这种情况下,CPU 变得服从于 JTAG 指令。 通常来说,常规的协议是请求 CPU 读取或写入特定数据的程序来执行某些功能。然而,在使用 JTAG 协议时,则是由该协议直接操控 CPU 来完成这些任务。
  • NAND Flash系列之初探:Nor FlashNAND Flash对比分
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    本文深入浅出地解析了Nor Flash和NAND Flash两种闪存技术的区别,旨在帮助读者理解其特性、应用场景及优缺点。 作者:刘洪涛,华清远见嵌入式培训中心高级讲师。 FLASH存储器又称闪存,主要有两种类型:NorFlash和NandFlash。下面我们将从多个角度来对比介绍这两种类型的闪存,在实际开发中设计者可以根据产品需求合理选择适合的闪存种类。 1. 接口对比 NorFlash采用了通用SRAM接口,可以方便地连接到CPU的地址、数据总线上,对CPU接口的要求较低。由于其芯片内执行(XIP,eXecute In Place)的特点,应用程序可以直接在flash存储器中运行,无需再将代码读入系统RAM中。例如,在uboot中,ro段可以在NorFlash上直接运行,只需把rw和zi段复制到RAM并重写即可。
  • DRAM、NAND Flash和NOR Flash三种存储器
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    本文深入解析了DRAM、NAND Flash以及NOR Flash这三种主要存储器的技术特点与应用领域,帮助读者理解它们在现代电子设备中的作用。 内存的正式名称是“存储器”,它是半导体行业中的三大支柱之一。2016年,全球半导体市场规模达到3400亿美元,其中存储器占据了768亿美元的份额。对于身边的手机、平板电脑、个人计算机(PC)和笔记本等所有电子产品而言,存储器就像钢铁之于现代工业一样至关重要,是电子行业的“原材料”。 在存储器芯片领域中,主要分为两大类:易失性和非易失性。易失性指的是断电后存储器中的信息会丢失的类型,例如动态随机存取内存(DRAM)。这类内存主要用于个人计算机和手机的内存,两者各占三成左右的比例。而非易失性的存储器则是在断电之后仍能保持数据不变,主要包括闪存芯片如NAND Flash 和 NOR Flash。其中,NOR Flash 主要用于代码存储介质中,而 NAND 则广泛应用于数据存储领域。