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TI出品的电子产品辐射指南手册

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简介:
本手册由TI公司编制,旨在指导消费者了解其电子产品可能产生的电磁辐射情况,并提供相关安全使用建议。 《电子产品辐射手册-TI》是德州仪器(TI)发布的一份详尽文档,主要针对电子设备在空间、工业及地面应用中的辐射问题进行了深入探讨。这份手册不仅适用于航天领域,也对地面和工业环境中的电子设计者极具价值。 手册共分为八章,内容涵盖广泛的辐射知识: **第一章:辐射环境** 1.1 航天辐射环境:介绍了太空中各种辐射源,如太阳粒子事件、银河宇宙射线和地球辐射带,以及它们对电子设备的影响。 1.2 地球辐射环境:讨论了地球大气层对不同能量辐射的吸收和散射情况,以及地表的辐射状况。 1.3 人工辐射环境:关注由核设施、医疗设备或高能粒子加速器等产生的辐射环境。 **第二章:物质中的辐射效应** 2.1 辐射基础:解释了辐射的基本概念,包括类型、能量和剂量。 2.2 物质中的粒子相互作用:阐述了辐射粒子与物质相互作用的机制,如电离、激发等。 2.3 线性能量转移(LET):定义了LET并探讨其在评估辐射损伤中的重要性。 2.4 辐射屏蔽:讨论了不同材料对辐射的屏蔽效果及其选择原则。 **第三章:剂量效应下的电子设备辐射效应** 3.1 总电离剂量效应:讨论了长期累积辐射剂量对电子元器件性能的影响。 3.2 撞击位移损伤:讲述了原子在高能辐射下被撞击出原有位置导致的材料性能变化。 **第四章:单事件效应** 4.1 破坏性和非破坏性单事件效应:区分了两种不同类型的效果,包括对电路功能的暂时或永久影响。 4.2 单事件瞬变:详细解释了所有单事件效应的基础——瞬态现象。 4.3 数字和模拟单事件瞬变:比较了这两种系统中的瞬变响应差异。 4.4 单事件翻转:讨论了存储元件由于单个粒子引发的状态变化。 4.5 单事件功能中断:阐述了辐射导致的系统级功能中断。 4.6 单事件锁定(SEL):解释了如何防止和处理SEL,以保护电路不受损害。 4.7 单事件门破裂和单事件烧断:分析了这些可能导致设备失效的现象。 4.8 立即剂量效应:探讨了高剂量率辐射的即时影响。 **第五章:按技术划分的辐射敏感性** 5.1 总电离剂量:根据不同的半导体工艺和技术评估电子设备对总电离剂量的敏感度。 5.2 单事件效应:讨论了各种技术在抵抗单事件效应方面的表现。 **第六章:减轻辐射效应的方法** 6.1 偶然的辐射坚固性:探讨了设计过程中不可预见的辐射防护特性。 6.2 工艺级别的辐射硬化:介绍通过改进制造过程来提高电子设备的抗辐射能力。 6.3 设计层面的辐射硬化 - 组件配置解决方案:讨论了通过优化组件组合来增强系统抗辐射性。 6.4 设计层面的辐射硬化 - 布局解决方案:强调布局设计在减少辐射影响中的作用。 6.5 设计层面的辐射硬化 - 电路冗余解决方案:介绍了通过冗余设计提高系统的可靠性。 **第七章:辐射测试与资格认证** 7.1 总电离剂量测试:描述了测试电子设备耐受总电离剂量的方法和标准。 7.2 单事件效应测试:涵盖了检测和量化单事件效应的技术。 7.3 撞击位移剂量测试 - 中子测试:讨论了中子引起的位移损伤的测试手段。 7.4 剂量率或立即剂量测试:分析这些测试对于评估高速辐射影响的重要性。 7.5 地球表面中子和α粒子测试:介绍了地面环境下的特定测试条件。 7.6 德州仪器的辐射测试哲学:阐述了TI在辐射测试方面的方法和理念。 **第八章:德州仪器的辐射硬化产品** 本章详细介绍了TI提供的各种辐射硬化产品,包括芯片、模块和系统解决方案及其在实际应用中的表现与优势。 《电子产品辐射手册-TI》是一份全面而实用的参考资料,为电子工程师提供了理解和应对辐射影响的知识,确保设备在各种环境下的稳定性和可靠性。无论是设计、测试还是选型,手册都提供了宝贵的指导。

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客服
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  • TI
    优质
    本手册由TI公司编制,旨在指导消费者了解其电子产品可能产生的电磁辐射情况,并提供相关安全使用建议。 《电子产品辐射手册-TI》是德州仪器(TI)发布的一份详尽文档,主要针对电子设备在空间、工业及地面应用中的辐射问题进行了深入探讨。这份手册不仅适用于航天领域,也对地面和工业环境中的电子设计者极具价值。 手册共分为八章,内容涵盖广泛的辐射知识: **第一章:辐射环境** 1.1 航天辐射环境:介绍了太空中各种辐射源,如太阳粒子事件、银河宇宙射线和地球辐射带,以及它们对电子设备的影响。 1.2 地球辐射环境:讨论了地球大气层对不同能量辐射的吸收和散射情况,以及地表的辐射状况。 1.3 人工辐射环境:关注由核设施、医疗设备或高能粒子加速器等产生的辐射环境。 **第二章:物质中的辐射效应** 2.1 辐射基础:解释了辐射的基本概念,包括类型、能量和剂量。 2.2 物质中的粒子相互作用:阐述了辐射粒子与物质相互作用的机制,如电离、激发等。 2.3 线性能量转移(LET):定义了LET并探讨其在评估辐射损伤中的重要性。 2.4 辐射屏蔽:讨论了不同材料对辐射的屏蔽效果及其选择原则。 **第三章:剂量效应下的电子设备辐射效应** 3.1 总电离剂量效应:讨论了长期累积辐射剂量对电子元器件性能的影响。 3.2 撞击位移损伤:讲述了原子在高能辐射下被撞击出原有位置导致的材料性能变化。 **第四章:单事件效应** 4.1 破坏性和非破坏性单事件效应:区分了两种不同类型的效果,包括对电路功能的暂时或永久影响。 4.2 单事件瞬变:详细解释了所有单事件效应的基础——瞬态现象。 4.3 数字和模拟单事件瞬变:比较了这两种系统中的瞬变响应差异。 4.4 单事件翻转:讨论了存储元件由于单个粒子引发的状态变化。 4.5 单事件功能中断:阐述了辐射导致的系统级功能中断。 4.6 单事件锁定(SEL):解释了如何防止和处理SEL,以保护电路不受损害。 4.7 单事件门破裂和单事件烧断:分析了这些可能导致设备失效的现象。 4.8 立即剂量效应:探讨了高剂量率辐射的即时影响。 **第五章:按技术划分的辐射敏感性** 5.1 总电离剂量:根据不同的半导体工艺和技术评估电子设备对总电离剂量的敏感度。 5.2 单事件效应:讨论了各种技术在抵抗单事件效应方面的表现。 **第六章:减轻辐射效应的方法** 6.1 偶然的辐射坚固性:探讨了设计过程中不可预见的辐射防护特性。 6.2 工艺级别的辐射硬化:介绍通过改进制造过程来提高电子设备的抗辐射能力。 6.3 设计层面的辐射硬化 - 组件配置解决方案:讨论了通过优化组件组合来增强系统抗辐射性。 6.4 设计层面的辐射硬化 - 布局解决方案:强调布局设计在减少辐射影响中的作用。 6.5 设计层面的辐射硬化 - 电路冗余解决方案:介绍了通过冗余设计提高系统的可靠性。 **第七章:辐射测试与资格认证** 7.1 总电离剂量测试:描述了测试电子设备耐受总电离剂量的方法和标准。 7.2 单事件效应测试:涵盖了检测和量化单事件效应的技术。 7.3 撞击位移剂量测试 - 中子测试:讨论了中子引起的位移损伤的测试手段。 7.4 剂量率或立即剂量测试:分析这些测试对于评估高速辐射影响的重要性。 7.5 地球表面中子和α粒子测试:介绍了地面环境下的特定测试条件。 7.6 德州仪器的辐射测试哲学:阐述了TI在辐射测试方面的方法和理念。 **第八章:德州仪器的辐射硬化产品** 本章详细介绍了TI提供的各种辐射硬化产品,包括芯片、模块和系统解决方案及其在实际应用中的表现与优势。 《电子产品辐射手册-TI》是一份全面而实用的参考资料,为电子工程师提供了理解和应对辐射影响的知识,确保设备在各种环境下的稳定性和可靠性。无论是设计、测试还是选型,手册都提供了宝贵的指导。
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