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针对GaN器件的驱动设计策略

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简介:
本研究专注于氮化镓(GaN)器件的应用与优化,探讨了适用于该类半导体材料的有效驱动设计方案,旨在提高其性能和效率。 氮化镓(GaN)HEMT是电源转换器的理想选择,其端到端能效超越了当前的硅基方案,并且能够轻松满足服务器和云数据中心严格的80+规范或USB PD外部适配器的欧盟行为准则Tier 2标准。尽管旧的硅基开关技术声称接近理想性能,可以实现快速、低损耗的开关操作,但GaN器件虽然更接近这一目标却不能直接替代它们。为了充分利用该技术的优势,必须在设计中集成适当的门极驱动电路来确保系统的可靠性和高性能表现。

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  • GaN
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    本研究专注于氮化镓(GaN)器件的应用与优化,探讨了适用于该类半导体材料的有效驱动设计方案,旨在提高其性能和效率。 氮化镓(GaN)HEMT是电源转换器的理想选择,其端到端能效超越了当前的硅基方案,并且能够轻松满足服务器和云数据中心严格的80+规范或USB PD外部适配器的欧盟行为准则Tier 2标准。尽管旧的硅基开关技术声称接近理想性能,可以实现快速、低损耗的开关操作,但GaN器件虽然更接近这一目标却不能直接替代它们。为了充分利用该技术的优势,必须在设计中集成适当的门极驱动电路来确保系统的可靠性和高性能表现。
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    本段落提供了一个用于STM32微控制器与ADS8688模数转换器通信的驱动程序代码。该代码支持数据采集及处理功能,适用于各种嵌入式系统开发项目。 TI公司的高速AD芯片ADS8688提供了一种模拟到数据的解决方案。由于在网上找不到相关的驱动资料,我编写了适用于STM32的驱动代码,并希望这能给大家带来帮助,谢谢!