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mc9s08ac60自写FLASH例程

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  •      文件类型：RAR

简介：
在程序移植过程中需要注意事项：1.正确设置时钟配置参数 2.确保PRM文件参数设置到位 在文档S08_Flash.h中，宏定义‘#define BUS_CLOCK 20000000’需根据用户实际使用的总线频率进行调整。PRM文件配置说明如下： 该文件详细列出了设备的所有RAM、ROM区域，并提示在后续布局设计中将这些信息进行引用。 具体配置包括以下部分： 1. Z_RAM段指定为可读写地址范围：0x0070至0x00FF。 2. RAM段同样支持可读写操作，覆盖范围是0x0170到0x086F。 3. ROM区域被配置为只读存储空间，其地址范围是从0x18D0延伸至整个内存空间（FFFF）。 4. 程序跳转功能由ROM1段负责，同样采用只读模式，并覆盖从0x0870到0x17FF的内存区域。 5. ROM2段则指定为仅包含少量数据的低地址块：0xFFC0至0xFFC5。 6. 一个特殊的Flash转寄存器功能位于ROM3段，其范围是0x1860到0x18CF，并通过RELOCATE_TO指令将其中的内容重新定位至系统主内存区域（0100）。 7. 其他相关操作功能则被预先保留以便未来扩展使用。特别需要指出的是，地址范围从0x0100到0x016F已经被预留出来，专门用于存放擦写FLASH程序的代码。 注：上述配置中涉及的所有内存段落均需严格按照指定的可读写或只读模式进行操作以确保系统的正常运行。特别提示，在实际应用中，请确保所有指定区域的地址空间未被其他功能占用，否则可能导致系统性能异常或数据损坏。在新项目中，移植过程中通常会遗忘需进行以下三步调整的部分。这些步骤包括：1. Z_RAM的可读写范围是0x0070至0x00FF，同时RAM的可读写范围是0x0170至0x086F；2. ROM的读取范围是0x18D0至0xFFAF，而ROM1的范围则是从0x0870到0x17FF；3. FLASH_TO_RAM区域的读取是从0x1860到0x18CF，并重新定位至内存地址0x0100。最后需要将Flash routines移动至Flash_to_RAM区域。在移植操作中可能会遇到以下编译错误提示：Link Error:L1102 Out allocation space in segment FLASH_TO_RAM at address 0xXXXX。这是因为设置将...该例程的一个主要弊端在于将内存资源授权给擦写FLASH程序的专用部分，导致这些内存资源长时间闲置无法被其他任务充分利用。 参考文献中提出了一种更为合理的方式。 注：改写说明 免责声明： 该段程序并非个人编写，部分内容来源于外部资源。经MC9S08AC60demo板进行初步测试后，该段程序尚未完成大规模及长时间的验证工作。因此，在将其应用于产品时需谨慎考虑。如由此引致的问题或损害，本人概不负责。jjj_sun 2009-3-28 23:24

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