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薄膜沉积技术包括化学气相沉积(CVD)和物理气相沉积(PVD)两类

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简介:
本文介绍了两种主要的薄膜沉积技术:化学气相沉积(CVD)与物理气相沉积(PVD),探讨它们在材料科学中的应用及特点。 薄膜沉积技术主要分为化学气相沉积(CVD)和物理气相沉积(PVD)。其中,CVD工艺包括原子层沉积(ALD)和等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。而PVD则涵盖溅射、电子束以及热蒸发等多种方法。 在CVD过程中,通过使用等离子体将源材料与一种或多种挥发性前驱物混合并使其发生化学反应来分解源材料。这一过程通常需要较高的压力和热量,从而生成更加均匀且易于控制厚度的薄膜。这些薄膜具有更高的化学计量性和密度,并能够生产出更高品质的绝缘层。 相比之下,PVD工艺则采用固体金属作为气化来源,在施加电能后将其转化为原子状态并沉积到基底上。这一过程通过石英晶体速率监控器来精确调控膜厚及生长速度。此外,调整抽真空室的压力有助于控制薄膜形成条件下的各种参数。

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  • (CVD)(PVD)
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    本文介绍了两种主要的薄膜沉积技术:化学气相沉积(CVD)与物理气相沉积(PVD),探讨它们在材料科学中的应用及特点。 薄膜沉积技术主要分为化学气相沉积(CVD)和物理气相沉积(PVD)。其中,CVD工艺包括原子层沉积(ALD)和等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。而PVD则涵盖溅射、电子束以及热蒸发等多种方法。 在CVD过程中,通过使用等离子体将源材料与一种或多种挥发性前驱物混合并使其发生化学反应来分解源材料。这一过程通常需要较高的压力和热量,从而生成更加均匀且易于控制厚度的薄膜。这些薄膜具有更高的化学计量性和密度,并能够生产出更高品质的绝缘层。 相比之下,PVD工艺则采用固体金属作为气化来源,在施加电能后将其转化为原子状态并沉积到基底上。这一过程通过石英晶体速率监控器来精确调控膜厚及生长速度。此外,调整抽真空室的压力有助于控制薄膜形成条件下的各种参数。
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