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4H-SiC横向JFET结构的高温物理建模与验证研究

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简介：
本研究聚焦于4H-SiC横向JFET器件，在高温环境下对其物理行为进行详细建模和实验验证，旨在提升该类器件在极端条件下的性能预测和应用可靠性。 本段落探讨了一种创新的4H-SiC LJFET结构的独特性能，该结构由常开侧向沟道与常闭垂直沟道串联组成。建立了综合物理模型来解释这种新结构在室温和高温（300°C）条件下相较于传统LJFET的不同静态和动态特性。通过有限元数值模拟及实验测量验证了所建立的物理模型的有效性，三者之间达成了一致的结果。建模工作首次详细研究了其工作机制，并为温度高达300°C的SiC LJFET器件提供了重要的设计指导。

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  • 4H-SiC横向JFET结构的高温物理建模与验证研究
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