
载流子的迁移率
5星
- 浏览量: 0
- 大小:None
- 文件类型:PDF
简介:
《载流子的迁移率》一文探讨了半导体材料中电子和空穴在电场作用下的运动特性,分析影响迁移率的因素及其重要应用。
在2.5.6节中有提到,在半导体材料中移动一个电子比空穴要容易。电路设计者对载流子(即空穴和电子)所需的能量以及它们的运动速度都很关注,其中移动的速度被称为载流子迁移率。由于空穴的迁移率低于电子,因此在选择特定类型的半导体材料时需要考虑这一因素。
根据电性分类,材料可以分为以下几类:
1. **导体**:这类物质中的自由电子数量较多,使得它们具有良好的导电性能。例如金、铜和银等。
2. **绝缘体**:这些材料几乎没有或完全没有自由移动的载流子,因此不具备显著的导电能力。玻璃和塑料就是典型的例子。
3. **半导体**:
- a.本征(即未掺杂)半导体:在纯净状态下含有少量可移动电子与空穴,例如锗、硅以及第III族到V族元素。
- b.掺杂半导体:通过添加特定杂质来改变其导电性能。N型半导体是在材料中加入五价元素如砷或磷;P型则通过引入三价元素比如硼。
对于不同的类型,它们在电路中的作用表现为:
- **N型** 半导体主要依赖于电子的移动进行传导;
- **P型** 则主要是依靠空穴的迁移实现电流传输。
全部评论 (0)
还没有任何评论哟~


