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抗辐射加固集成电路设计教程（faccio_radiation tutorial）

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简介：
这是一本极佳的抗辐射集成电路（IC）设计入门教程，原版为英文，深入探讨了SEE效应和TID效应，并详细阐述了设计加固策略，旨在为读者提供构建可靠抗辐射IC的坚实基础。

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  • 抗辐射加固IC设计教程 Radiation Faccio Tutorial
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    《抗辐射加固IC设计教程》是一本专注于讲解如何在集成电路设计中实施抗辐射措施的专业书籍，旨在帮助工程师应对太空和高能射线环境中的挑战。 这是一份很好的抗辐射IC设计基础教程，英文原版，涵盖了SEE、TID效应以及设计加固等内容。
     
  • 一种新型抗辐射加固SR锁存器的设计
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    本文提出了一种新型抗辐射加固SR锁存器设计方法，旨在提高电子元件在高能粒子环境下的稳定性与可靠性。通过优化电路结构和材料选择，有效提升了锁存器抵抗单事件效应的能力，为航天及军事领域提供了更为可靠的硬件基础。 一种新颖的抗辐射加固SR锁存器设计。
     
  • β和γ射线辐射量采集及核辐射测量仪的设计与电路方案
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    本项目专注于设计一种能够精准采集β和γ射线辐射量的核辐射测量仪及其配套电路。通过优化传感器与数据处理算法，实现高效、可靠的辐射监测功能。 核辐射测量仪电路功能概述：该系统实现了对环境中β射线和γ射线辐射量的采集、输出、显示、上传及保存。系统采用J321 βγ-GM计数管作为探测装置，利用STC89C52单片机处理脉冲计数并通过1602液晶显示屏进行数据显示，并将数据上传至Windows平台上的上位机。上位机能够完成实时显示和网络服务器的数据传输功能，其开发使用了LabVIEW软件。 硬件成本约为120元人民币左右：STC89C52RC单片机3元、1602液晶显示屏10元、J321βγ-GM计数管75元、直流升压模块及其他元件（如三极管和USB转串口芯片等）共计约15元左右。 上位机环境包括LabVIEW 2014软件及云平台，使用乐联网系统进行数据传输。此外还包括单片机程序框图、LabVIEW程序框图以及滤波电路部分的原理图设计。
     
  • 深亚微米工艺下EEPROM单元的加固设计及其抗辐射性能（2011年）
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    本研究于2011年探讨了在深亚微米工艺条件下，EEPROM存储单元的设计优化与加固方法，并评估其抗辐射能力，旨在提高器件可靠性和稳定性。 当普通EEPROM单元在太空中应用时会受到辐照效应的影响,导致其可靠性降低且寿命缩短。为此，在0.18μm工艺基础上设计了一种新型抗辐照EEPROM单元，该新单元采用了环形栅和场区隔离管加固结构。经过加固后，单元面积为9.56平方微米，并具备超过1500 Gy的总剂量效应抵抗能力，其抗辐射性能明显优于普通结构。 为了明确失效机制，在不同的辐照条件下分析了新型EEPROM单元的阈值退化曲线，并将其与传统EEPROM单元在相同条件下的表现进行了比较。结果显示：由总剂量效应导致边缘寄生管源/漏端和场氧下部区域产生的漏电现象是深亚微米工艺EEPROM失效的主要原因。
     
  • 射频集成电路及系统设计
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    《射频集成电路及系统设计》一书专注于探讨射频技术的核心原理与应用实践，涵盖从电路设计到系统集成的关键知识。 射频集成电路与系统设计涉及传输线分析软件及仿真方法的应用，这些工具非常有用且效果极佳。
     
  • 实用教程：专用集成电路设计
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    本教程详细介绍了专用集成电路（ASIC）的设计流程、工具和技术，旨在帮助工程师和学生掌握从需求分析到物理实现的各项技能。 《专业集成电路设计实用教程》适合学习IC设计的人员阅读。
     
  • Tanner集成电路设计教程(第一册)
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    《Tanner集成电路设计教程（第一册）》是一本全面介绍使用Tanner工具进行IC设计的专业书籍，适合电子工程和计算机科学专业的学生及工程师阅读。 该资源为本书上册，采用超星阅读器打开（PDG格式）。如无法正常访问，请尝试使用用户名ouyangweihe, 密码123456登录。 全书分为两册出版，共包含10篇56章的内容。具体而言： - 上册包括第1至第3篇：L-Edit版图编辑器（第1～12章）、SPR标准单元布图与布线（第13～21章）以及LVS电路-版图比较器（第22～26章）。 - 下册则涵盖从第四篇到第十篇的内容，分别为S-Edit电路图编辑器、NetTran网表转换器、T-Spice电路模拟器及其语言、W-Edit波形观察器、实际的电路分析案例以及菜单命令。书末附有结束语和索引。 本书内容详尽且结构合理，具备极高的实用价值。它不仅适合从事集成电路研究与设计的专业人士及微电子学领域的科技工作者参考使用，亦可作为高等院校相关专业师生的教学参考资料和实践教材。
     
  • 实用教程：专用集成电路设计
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    本教程深入浅出地讲解了专用集成电路（ASIC）的设计原理与实践技巧，适合电子工程及相关领域的初学者和进阶者参考学习。 《专用集成电路设计实用教程》是一本关于IC设计的经典教材。这本书深入浅出地介绍了专用集成电路的设计原理与实践方法，适合初学者以及有一定经验的工程师阅读参考。书中不仅涵盖了基础理论知识，还包含了许多实际案例和技术细节，帮助读者更好地理解和掌握ASIC设计的关键技术和流程。
     
  • 实用教程：专用集成电路设计
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    本教程深入浅出地讲解了专用集成电路（ASIC）的设计原理与实践技巧，涵盖从需求分析到布局布线的全流程。适合初学者入门及专业人士进阶学习。 《专用集成电路设计实用教程》是一本关于专用集成电路设计的实践指导书籍。这本书为读者提供了详尽的设计方法和技术细节，帮助工程师们更好地理解和应用ASIC（专用集成电路）技术。书中涵盖了从理论基础到实际项目的全面内容，适合初学者和有经验的专业人士阅读参考。
     
  • 设计与表征65nm抗辐射标准单元库
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    本项目致力于开发和优化65纳米工艺下的抗辐射标准单元库，通过精确的设计及全面的性能表征，确保其在恶劣环境中的稳定运行。 本段落提出了一种基于商用65纳米工艺在晶体管级设计抗辐射数字标准单元库的方法。当C单元的两个输入端具有不同的逻辑值时，其输出将进入高阻模式，并保持原有的输出逻辑电平不变；而当两输入端有相同的逻辑值时，该单元的功能类似于反相器。因此，它可以过滤掉由辐射粒子引起的单粒子翻转（SEU）效应或单粒子传输（SET）效应产生的毛刺信号。 在本段落设计的标准单元库中包含了一些抗辐射触发器，在晶体管级使用C单元进行设计。这使得芯片设计师能够利用该库来创建具有更强的抗辐射能力、更小面积、更低功耗和延迟的芯片。为了表征标准单元在硅片上的延迟特性，文中提出了一种基于环形振荡器结构的方法以测量每个单元的实际延迟，并验证其抗辐射性能。实验结果表明，所测得的标准单元库中的各个元件与版图后仿真相比，在10%误差范围内具有良好的一致性。