本文介绍了如何在STM32F103微控制器上执行内部Flash存储器的读取和写入操作，包括编程接口及注意事项。
STM32F103系列微控制器基于ARM Cortex-M3内核，由意法半导体（STMicroelectronics）生产，适用于各种嵌入式系统设计。其内部包含可编程的Flash存储器用于存放程序代码、配置数据以及非易失性数据。
**一、Flash概述**
STM32F103的内置Flash主要用于保存应用程序和一些重要设置信息，在执行时自动读取指令并运行，具有较快访问速度但不及RAM快。该内存划分为不同扇区以支持特定擦除与写入操作需求。
**二、读取方法**
从Flash中读取数据只需配置好地址及控制寄存器，并通过APB2总线上的接口即可完成。程序执行过程中，CPU会自动加载并运行存储于其中的指令。
**三、写入流程**
向STM32F103的内部Flash写入新内容前需先进行擦除操作。该微控制器支持整扇区和页两种方式来清除指定区域的数据；前者适用于删除整个应用，后者适合程序执行期间更新少量代码片段。每次写入必须以字节或半字形式对齐，并且只能在完成擦除之后才能成功实施。
**四、EEPROM仿真**
由于Flash的读写次数有限制，不宜频繁进行此类操作来模拟EEPROM功能。可以通过软件手段使用一部分专用区域作为临时存储空间，实现类似于非易失性内存的数据管理机制，在不影响程序运行的情况下达到类似效果。
**五、串口指令封装**
通过串行通信接口发送特定命令可以远程控制STM32F103的Flash操作，方便了调试和验证过程。这些命令通常包括地址设定、数据传输以及执行具体任务等步骤。
**六、安全保护措施**
为了确保内部存储器的安全性，该微控制器提供了多种防护机制：例如利用选项字节设置密码避免未经授权访问，并通过Boot锁位防止非法程序干扰启动顺序。
**七、开发工具支持**
在使用Keil MDK或STM32CubeIDE等集成环境时，可以方便地调用Flash编程API简化相关代码编写工作。这些平台还提供调试功能帮助检查和验证实际操作情况。
**八、性能优化策略**
对于需要频繁写入Flash的应用场景而言，采取适当的缓存策略以减少真实写入次数有助于延长其使用寿命；同时理解擦除与编程时间对提高整体程序效率也非常重要。
熟悉如何正确读取及修改STM32F103的内部Flash是嵌入式开发中的基础技能。利用串口指令封装可以实现远程控制和验证，从而提升工作效率并确保系统稳定可靠运行。
5星
