
关于亚10nm技术节点垂直沟道围栅纳米线器件的多阈值设计的研究.pdf
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简介:
本文探讨了在亚10nm技术节点下,垂直沟道围栅纳米线器件的多阈值设计方法,旨在优化器件性能和降低功耗。
本段落提出了一种针对垂直沟道围栅纳米线场效应晶体管的多阈值调节技术,并通过TCAD仿真手段实现了非对称halo结构的应用。
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简介:
本文探讨了在亚10nm技术节点下,垂直沟道围栅纳米线器件的多阈值设计方法,旨在优化器件性能和降低功耗。
本段落提出了一种针对垂直沟道围栅纳米线场效应晶体管的多阈值调节技术,并通过TCAD仿真手段实现了非对称halo结构的应用。


