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关于亚10nm技术节点垂直沟道围栅纳米线器件的多阈值设计的研究.pdf

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简介:
本文探讨了在亚10nm技术节点下,垂直沟道围栅纳米线器件的多阈值设计方法,旨在优化器件性能和降低功耗。 本段落提出了一种针对垂直沟道围栅纳米线场效应晶体管的多阈值调节技术,并通过TCAD仿真手段实现了非对称halo结构的应用。

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  • 10nm线.pdf
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    本文探讨了在亚10nm技术节点下,垂直沟道围栅纳米线器件的多阈值设计方法,旨在优化器件性能和降低功耗。 本段落提出了一种针对垂直沟道围栅纳米线场效应晶体管的多阈值调节技术,并通过TCAD仿真手段实现了非对称halo结构的应用。
  • MOS管电压电源
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    本研究聚焦于MOS管阈值电压特性,探讨其在电源管理中的应用与优化,旨在提升电路性能和能效。 MOS管的阈值电压是指当backgate与source连接在一起形成channel所需的最小gate对source偏置电压。如果这个偏置电压小于阈值电压,则不会形成导电通道。 一个特定晶体管的阈值电压受多种因素影响,包括backgate掺杂、绝缘层厚度、栅极材料以及绝缘体中的多余电荷等。下面简单介绍这些因素: - **Backgate 掺杂**:这是决定阈值电压的关键因素之一。如果backgate掺杂越重,则需要更强的反向偏置才能反转沟道,从而使得阈值电压上升。 - 背栅极(backgate)的掺杂可以通过在栅介质表面进行轻微植入来调整,这种植入被称为“阈值调节”。
  • 单根GaAs线模式特性
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    本研究深入探讨了单根镓砷化物(GaAs)纳米线中的光学模式特性,分析其独特的光传输和散射行为,为纳米尺度下的光电应用提供了理论基础。 在研究领域内,单根GaAs纳米线的模式特性是关键的研究课题之一,在设计与制造纳米激光器方面具有重要的指导意义。作为一种典型的III-V族化合物半导体材料,砷化镓因其卓越的光电性能而在光电子器件中被广泛应用。 本段落采用时域有限差分法(FDTD)对单根GaAs纳米线内的模式进行了仿真研究,揭示了HE11、TE01和TM01三种模式的特点及其在纳米激光器中的潜在应用。这种方法通过将Maxwell方程的微分形式转化为差分形式,并利用计算机模拟电磁波在空间和时间上的传播过程,适用于复杂结构中电磁场特性的计算。 研究发现,在单根GaAs纳米线内,HE11、TE01和TM01三种模式依次出现。其中,HE11模式的横向束缚性最强,而TE01次之,TM01最弱。高束缚性意味着更强的限制效果,因此HE11模式最适合用于纳米激光器。 通过计算这三个模式的端面反射率,并结合半径变化分析了它们的阈值增益特性。结果表明,在90nm到190nm范围内的GaAs纳米线中,TE01模式具有最低的阈值增益,从而最有可能激发出激光效应。这一发现对于设计高性能红外纳米激光器提供了重要的理论依据。 此外,该研究还探讨了不同尺寸下这些模式在分布、反射和阈值方面的变化规律,为未来新型高效纳米线激光器的设计与开发奠定了坚实的理论基础。鉴于GaAs材料良好的光放大性能,在可见光及近红外波段的应用前景广阔。 文章详细介绍了使用FDTD算法进行的仿真研究,并得到了具有实际应用价值的结果。这项工作不仅在理论上有所贡献,也为实验上制造小型化高效光源提供了重要参考,广泛应用于光纤通信、生物医学成像和集成光学等领域。
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    本文深入探讨了正交频分复用(OFDM)系统中的信道估计技术,分析了几种主流算法的性能,并提出了一种改进方案以提高复杂通信环境下的数据传输效率和可靠性。 这段外文文献详细介绍了OFDM盲信道和半盲信道估计的具体方法、基本思想及原理,对于学习和实现信道估计具有较好的参考价值。
  • MIMO系统中线及信容量.pdf
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    本文档深入探讨了在OpenStack框架下构建和实施多节点云计算平台的关键技术和挑战,并提供了解决方案和技术细节。 基于OpenStack的多结点云计算平台实现研究指出,OpenStack是一个开源项目,旨在提供简单、可扩展且标准统一的云计算管理解决方案。相较于单节点架构,该方案具有更多优势。